IGZO薄膜晶体管的制备及其光电性能

摘要

本文采用磁控溅射技术沉积InGaZnO(IGZO)薄膜,制备具有底栅结构的薄膜晶体管(TFT).测试并分析IGZO TFT的电学性能和在不同波长紫外光照条件下的光电响应性能,在VDS为10 V时,得到饱和迁移率为173 cm2/Vs,Ion/Ioff达到108,Von为10.5 V,亚阈值摆幅大约为5 V/decade的器件.该器件对于254 nm和365 nm的光照均具有良好的响应特性,在254 nm光照条件下的光响应度可达44.8 A/W,可以应用于光电探测领域.