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崔胜战; 张健豪; 王晓新; 阙怡涵; 马卓杰; 杜路路;
临沂大学物理与电子工程学院;
机译:溶胶 - 凝胶衍生的低温HFO2-GPTMS混合栅极电栅电栅电介质用于A-IGZO薄膜晶体管(TFT)
机译:使用共溅射的氧化锆栅电介质改善非晶IGZO薄膜晶体管的电气和滞后性能
机译:全室温IGZO薄膜晶体管,在柔性聚碳酸酯基板上采用堆叠栅电介质
机译:具有超薄PECVD SiO2栅介质的自对准顶栅a-IGZO TFT的性能
机译:高k HfO2栅介质的射频溅射ZnO薄膜晶体管制造条件的优化。
机译:双栅三有源层沟道用于AMOLED像素电路的IGZO薄膜晶体管的设计与分析
机译:湿度对纳米颗粒SiO2固体电解质门控双电层氧化物基薄膜晶体管性能的影响
机译:国际器件技术研讨会:用于未来硅基微电子的siO2作为栅介质的替代品
机译:PECVD SiO2钝化IGZO和ZNO TFT的PECVD SiO2 IGZO ZNO TFT方法
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