IGZO薄膜晶体管的制备及其光电特性的研究

摘要

以InGaZnO(IGZO)为有源层的薄膜晶体管(TFT)可以应用于光电探测领域.在实验中,研究了该器件的电学特性和在不同光照条件下的光电响应.IGZOTFT具有与传统金属氧化物TFT相当的电学性能,在VDS为15V时性能最好,得到的饱和迁移率为1.65cm2/Vs,电流开关比达到108,阈值电压为29V,亚阈值摆幅大约为2V/decade的开关器件.并对254nm和365nm的光均发生了响应,得到了稳定、连续的动态响应曲线.因此,这种TFT可以应用于光电探测领域.