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黄大定; 秦复光; 姚振钰; 刘志凯; 任治璋; 林兰英; 高维滨; 任庆余;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
中国科学院半导体研究所理化分析实验室;
氧化铈薄膜; 硅; IBD; 外延生长;
机译:通过雾化学气相沉积在立方(111)MgO和(111)氧化钇稳定的氧化锆衬底上异质外延生长ε-Ga2O3薄膜
机译:分子束外延生长在BaF_2(111)和SrF_2(111)衬底上的外延EuS(111)薄膜的特性
机译:等离子体辅助分子束外延在含钛和钛化合物缓冲层的(111)硅衬底上生长等离子生长的氧化锌膜的生长和表征
机译:硅衬底上外延氧化铈薄膜的发光
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:简单Sol-Gel法在SrTiO3(111)衬底上正交生长GaFeO3薄膜的外延生长
机译:硅(111)衬底上异质外延生长的碳化硅中取向不正当的外延层倾斜和应力分布
机译:bcc过渡金属薄膜和超晶格在mgO(111),(011)和(001)衬底上的外延生长
机译:在硅衬底上外延生长(111)取向的孪晶ii-vi合金薄膜的方法。
机译:硅衬底上双(111)取向ii-vi合金薄膜外延生长的方法
机译:在(111)硅衬底上生长(111)II-VI族外延层的方法
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