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刘忠良; 任鹏; 刘金锋; 徐彭寿;
中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029;
硅碳比; 碳化硅; 硅衬底; 固源分子束外延;
机译:Si(111)和SiC / Si(111)衬底上的GaN薄膜的等离子体辅助分子束外延:SiC和极性问题的影响
机译:H_2 / Ar比对甲基三氯硅烷生长的同质外延4H-SiC薄膜表面形貌和结构缺陷的影响
机译:使用3C-SiC缓冲层的Si(111)衬底上ZnO薄膜的异质外延
机译:使用三氯硅烷(TCS)作为硅前体在(100),(111)和(110)Si上进行3C-SiC异质外延
机译:硅(100)和(111)上硒化镓的异质外延:用于形成纳米结构的新型硅相容半导体薄膜。
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
机译:在无台阶表面异质外延过程中在4H-和6H-siC衬底台面上生长的3C-siC薄膜的表征
机译:在图案化的4H / 6H-siC台面和悬臂上的3C-siC层的自由表面异质外延
机译:制造α--SiC和&gr; -SiC异质外延薄膜的表观薄膜的方法
机译:光电器件SiC / SiO.sub.2 / Si上的SiC / 111-V-氮化物异质结构
机译:使用外延生长的硅碳(SiC)或硅锗(SiGe)改善器件性能的方法
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