硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响

摘要

用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜, 研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响．结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低．最佳的碳化条件为:开始碳化温度 1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 sccm．