SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法，其特征在于，方法包括：将加工SiC衬底放置到外延炉中，并将外延炉抽取真空；通入氢气保持气压为100mbar并对外延炉加热，开始对加工SiC衬底开始原位刻蚀；温度保持在1600度，通入SiH₄量为3ml/min,C₃H₈量为1.1ml/min；载气氢气量为4500ml/min，加工SiC衬底在刻蚀图形内角处进行悬臂生长生成SiC外延片，生长出的悬臂为无缺陷的碳硅双原子层结构。本发明SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜实现了在正轴碳化硅衬底最顶端的刻蚀台面上外延薄的一层完全无缺陷的悬臂，并且有效缩短外延时间并提高薄膜生长面积。