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GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析

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摘要

从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果.

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来源
《功能材料》 |2004年第z1期|3228-3230,3234|共4页
作者
谭红琳; 王雪雯;
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作者单位

昆明理工大学,材料系,云南,昆明,650093;

云南广播电视学校,云南,昆明,650041;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类层介质膜;
关键词
晶格失配; 界面态密度; 过渡层;

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