退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
李国辉; 韩德俊; 陈如意; 姬成周; 王策寰; 夏德谦; 朱红清;
北京师范大学低能核物理所;
中国科学院半导体研究所材料开放实验室;
砷化镓; 集成电路; 离子注入;
机译:低能离子注入法在表面SI,GAAS和CAF2层中形成的纳米结构的电子光谱
机译:低能离子注入法研究Si和GaAs表面区域形成的纳米晶体的结构和性能
机译:自掺杂和有意掺杂的GaAs保形层中Si络合物形成的阴极发光研究
机译:X射线衍射法研究Si +注入GaAs层中的缺陷
机译:通过MEVVA注入形成SiC / Si异质结构并对其进行表征。
机译:作为Ge金字塔形成的控制因素的动力学极限的证据:室温下接着600°C退火的Ge沉积形成的Ge / Si(001)润湿层的结构特征的研究
机译:评论“使用Si +离子预注入到Si衬底上以增强GexSi1-x变质缓冲层的应变弛豫,以便在Si衬底上生长Ge层” Appl Phys Lett 90,083507(2007)
机译:通过高剂量Ge离子注入在si< 100>晶体中形成掩埋的外延si-Ge合金层
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:在GaAs c-Si,poly-Si以及沉积在非导电基底上的Al和Si:H薄层上形成均相超薄和非常薄的化学计量氧化物的装置
机译:晶体特性Si层形成基板的制造方法,晶体特性Si层形成基板和晶体特性Si器件
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。