不同杂散光模型对光刻掩膜特征尺寸影响研究

摘要

杂散光仿真模型在光刻投影系统应用中具有重要的作用.由于杂散光对光刻掩膜特征尺寸CD(Critical Dimension)成像有一定的影响,亟需一种恰当的杂散光成像模型.通过采用PSFF函数杂散光拟合模型和Kirk杂散光模拟模型,提出了一种改进的考虑杂散光成像的光刻模型.利用改进的杂散光模型研究了在相同杂散光总量下,不同比例中程、远程杂散光对特征尺寸的影响.结果显示,当总杂散光量相同时,仿真分析得出远程杂散光的影响大于中程杂散光,即远程杂散光的比例占的越大,显影后的特征尺寸比实际特征尺寸越小.