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孙磊; 戴庆元; 乔高帅; 吴日新;
上海交通大学微纳科学技术研究院;
浸入式光刻; EUV光刻; 无掩模光刻; 纳米压印光刻; 特征尺寸;
机译:光学光刻技术的局限性和对极端紫外光刻技术的期望-其发展历史和未来发展-
机译:光学光刻技术的限制和极端紫外线光刻技术的预期 - 其发展和未来发展的过程 -
机译:使用纳米球剥离光刻技术对亚微米级50纳米特征尺寸的垂直对准3D GaN纳米线阵列进行纳米加工。
机译:使用全场EUV光刻(Sub-)22nm节点单图案技术的全场EUV光刻缩放0.099μm〜2的尺寸为0.099μm〜2的尺寸6T-SRAM单元
机译:用于硅薄太阳能电池的周期硅纳米结构上具有更高光刻精度的纳米球光刻技术的发展。
机译:使用倾斜旋转蒸发和光刻剥离技术控制各种金属纳米结构的尺寸和形状
机译:低NA聚焦涡旋光刻光刻,低于100nm的特征尺寸,405 nm照明
机译:LIGa X射线光刻的基本限制:侧壁偏移,斜率和最小特征尺寸。
机译:通过气溶胶施加光刻胶来均匀化光刻胶厚度和下层特征的临界尺寸的技术
机译:具有特征尺寸调整的计算光刻技术
机译:放大特征尺寸的耐印光刻法制作磁记录磁盘的纳米印迹技术
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