光刻介质的折射率对SPs干涉刻写亚波长光栅特征尺寸的影响

摘要

讨论了表面等离子体干涉直写光刻中，光刻胶的折射率对所刻写的亚波长光栅周期及特征尺寸的影响，计算表明，光刻胶的折射率越高，所刻写光栅的周期越小。当使用325nm激光激发Al膜和高折射率光刻胶平面层的表面等离子体时，刻写光栅的特征尺寸可达43nm，小于λ/7。