基于反向光刻模型的光源掩膜协同优化

摘要

在集成电路生产中,浸入式投影光是最重要的步骤之一 , 它负责将复杂的目标图案转移到硅晶元表面。但是,随着“摩尔定律”诞生和集成电路生产工艺不断的前进 , 硅晶元上图案的关键尺寸不断的缩小 , 光刻设备照明系统所使用的几种波长却变化不大。分辨率增强技术的重要性就脱颖而出。源掩模协同优化 (source and mask co-optimization,SMO) 是一种应用广泛的分辨率增强技术,它不受原始设计拓扑结构的约束,同时对光源和掩模进行修改,以提高硅晶元表面图案的打印性能。