基于最速下降的矢量光刻模型掩膜优化

摘要

纵观集成电路的发展历程,投影光刻系统的物理模型不断进步,相应的分辨率提高方发便应运而生,浸入式投影光刻[1]最重要的步骤之一,它负责将复杂的目标图案转移到硅晶元表面.但是,随着集成电路生产工艺不断的前进,硅晶元上图案的关键尺寸不断的缩小,光刻设备照明系统所使用的几种波长却变化不大.分辨率增强技术[2](Resolution Enhancemenant Techniques,RETS)的重要性就脱颖而出.最速梯度下降法(steepest gradient descent,SGD)作为非线性最优化理论的开山之作,自从被提出以来便被广泛的运用于各种优化场景,文本把该方法运用到掩膜优化当中,并取得不错的实验结果.