机译:使用SF_6 / O_2等离子清洁技术减少蚀刻缺陷并优化光刻胶掩膜栅多晶硅蚀刻工艺中的蚀刻配方
1 Hyangjeong-dong, Hungduk-gu, Cheongju-si 361-725, Korea;
SF_6/O_2 plasma; gate poly-silicon etch; Y_2O_3 reactor; Al_2O_3 reactor; non-volatile by-products; stabilization step;
机译:化学对高密度卤素基等离子体中抗蚀剂掩膜硅栅极轮廓控制的影响
机译:SF_6 / O_2和C_3F_6O / O_2等离子体中的氮化硅刻蚀特性及其对全球变暖影响的评估
机译:用于硅深蚀刻的SF_6蚀刻步骤与交替的SiCl_4 / O_2钝化步骤
机译:在SF_6 / O_2等离子体中的4H-SiC反应性离子蚀刻的干蚀刻损伤的电气表征
机译:用蚀刻和沉积法对二氧化硅接触孔的等离子体蚀刻轮廓进行建模。
机译:具有传统电感耦合等离子体(ICP)蚀刻器的深硅蚀刻工艺的开发
机译:用于监测氯 - 氦等离子体中多晶硅的等离子体蚀刻期间的蚀刻均匀性的光学诊断仪器。