机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:电感耦合等离子体蚀刻反应器中氯等离子体和多晶硅蚀刻的表征
机译:使用感应耦合等离子体的微米和纳米技术的硅蚀刻工艺选项
机译:后CMOS工艺中电感耦合等离子体刻蚀对各向同性硅刻蚀的表征
机译:电感耦合等离子体刻蚀反应器中离子流和硅刻蚀速率的二维均匀性
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:多晶硅蚀刻过程中氯感应耦合等离子体中离子能通量的实时反馈控制
机译:电感耦合等离子体反应器中离子能量分布函数的模型蚀刻剖面;应用物理学报