减少时分复用蚀刻工艺中蚀刻纵横比相关度的方法和装置

摘要

本发明提供了一种用于减少蚀刻纵横比相关度的方法和装置，该蚀刻纵横比相关度通过交替的淀积/蚀刻工艺在半导体基板中等离子体蚀刻深的沟槽时观察到。在交替的淀积/蚀刻工艺过程中，实时地监视基板上的多个不同尺寸的图形。然后，基于自监视器接收的信息，在交替的淀积/蚀刻工艺中调节至少一个工艺参数，以获得基板上的至少两个不同尺寸图形的相等蚀刻深度。