一种高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法

摘要

专利申请号:CN201811013298公开号:CN109136931A申请日:2018.08.31公开日:2019.01.04申请人:深圳市华星光电技术有限公司本发明提供一种高效铜钼蚀刻液。蚀刻液的主要成分包括7%~15%(占蚀刻液总质量,下同)的过氧化氢、2%~7%的调节剂、1%~3%的稳定剂、3%~10%的有机酸、0.001%~1%的抑制剂以及1%~10%的pH调节剂,余量为去离子水;本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果:本发明所提供的高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法,将含有过氧化氢的蚀刻液在蚀刻前通过微波辐射保持特定温度不变,增强了对铜钼金属膜层的氧化能力,进一步加快了蚀刻反应速率,更进一步提升了蚀刻品质。