机译:通过干法和浸入式ArF光刻实验设计优化掩膜误差增强因子的仿真
Institute of Applied Chemistry, National Chiao Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 300, Taiwan, Republic of China;
mask error enhancement factor; process window; taguchi design of experiment; immersion lithography;
机译:193 nm浸没式光刻中掩模误差增强因子的模拟
机译:ArF光刻胶参数优化,可降低掩模误差
机译:用于ArF干法和浸没式光刻的新型光产酸剂:与应用相关的特性
机译:ArF光刻胶参数优化,可降低掩模误差
机译:浸没式光刻的热流体模拟。
机译:模拟和最小化:析因实验的技术进步旨在优化临床干预
机译:参数源 - 掩模 - 数值光圈共同优化用于浸入光刻