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黄光伟; 马跃辉; 林伟铭; 李立中; 吴淑芳; 陈智广; 林豪; 庄永淳; 吴靖;
福联集成电路有限公司 福建莆田 351111;
集成无源器件; 砷化镓; 深背部通孔; 崩边;
机译:GaAs的干法刻蚀以制造单片微波集成电路中的通孔接地
机译:厚GaAs晶片中通孔应用的反应离子刻蚀技术
机译:聚焦离子束损伤的GaAs衬底的低损伤各向异性自由基束离子束刻蚀和选择性化学刻蚀
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:三种类型的24-二氯硫代酚基自由基对PCTA / DT形成机理的自/交叉缩合机理和动力学研究
机译:反应离子束刻蚀对GaAS和AlGaAs干法刻蚀的研究
机译:反应离子刻蚀和溅射刻蚀诱导Gaas表面损伤
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:通过湿法刻蚀在GaAs衬底上形成通孔的新方法
机译:用于GaAlAs的GaAs选择性刻蚀溶液及使用该刻蚀溶液的刻蚀方法
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