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Selective Etching Solution of GaAs for GaAlAs and Etching Method Using the Etching Solution

机译：用于GaAlAs的GaAs选择性刻蚀溶液及使用该刻蚀溶液的刻蚀方法

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  • 公开/公告号KR890004406A

    专利类型

  • 公开/公告日1989-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 최근선;

    申请/专利号KR19870009205

  • 发明设计人 박영근;

    申请日1987-08-22

  • 分类号H01L21/302;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 06:33:25

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