GaAs背面通孔刻蚀技术研究

摘要

比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl_2F_2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究。通过优化气压、射频功率、CCl_2F_2/Ar混合气体组分配比,在CCl_2F_2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率P_s=400W,偏压功率P_b=14W,自偏压V_b=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min)。