采用电化学工艺制作GaAs MMIC背面通孔的方法

摘要

本发明公开了一种采用电化学工艺制作GaAs MMIC背面通孔的方法，该方法采用MOCVD在半绝缘的GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs MMIC异质外延结构；通过台面隔离、正面电极制作、欧姆接触(肖特基势垒制作)、电镀等工艺完成器件的正面工艺；采用高腐蚀速率的化学腐蚀液将背面GaAs减薄，通过电化学抛光形成较光滑的背面；经背面光刻并蒸发金属Ni作为刻蚀阻挡层，采用RIE‑ICP刻蚀形成背面通孔。再次采用电化学抛光处理被刻蚀表面，使通孔内壁光滑，采用磁控溅射和电镀方法淀积金属Au，完成背面通孔制作。通过本发明方法可获得较平滑的蚀刻表面，为后续金属淀积提供了良好的接触表面，大大减小了接触阻抗，提高器件高频工作时的接地特性，同时大大减小了器件制作成本。