ICP干法刻蚀GaAs背面通孔技术研究

摘要

低阻抗的背面通孔接地技术能够大大提高GaAs微波单片集成电路的性能.本文利用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl<,2>F<,2>/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压、射频功率、CCl<,2>F<,2>/Ar混合气体组分配比,得到了表面平滑的通孔形貌.最大的通孔刻蚀速率达到了在4.3μm/min.