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吕晓敏; 邱伟彬; 王加贤;
华侨大学信息科学与工程学院;
GaAs; 干法刻蚀; 电感耦合等离子体; SiCl4; 光滑表面;
机译:在感应耦合等离子体中使用Ar / CHF_3,Ar / Cl_2和Ar / BCl_3气体化学方法对TiN膜进行干法刻蚀
机译:ICP干法刻蚀AlGaAs光子晶体结构的研究
机译:使用CL 2-AR / N 2 IM>气体混合物的高纵横比电感耦合等离子体(ICP)蚀刻INP / INGAASP / ALALAINAS的蚀刻
机译:重型14类羰基化合物M [Ar(Me6)] 2与小分子通过协同效应介导的反应化学(M =锗,锡; Ar(Me6)= C6H3-2,6-(C6H2-2,4 ,6-(CH3)3)2)。
机译:SiCl4流量对SiCl4-BCl3-NH3-H2-Ar环境中SiBN沉积动力学的影响
机译:siCl4流动速率对siCl4-BCl3-NH3-H2-ar环境中siBN沉积动力学的影响
机译:磁控反应离子刻蚀Gaas和aIGaas在CH4 / H2 / ar等离子体中的应用
机译:通过在SiCl4和Ar中产生的等离子体中蚀刻具有GaAs顶层和InP下层的半导体本体来制造光电子半导体器件的方法
机译:一种制备光电子半导体器件的方法,其中刻蚀具有gaas的最上层和包含在sicl4和ar中产生的等离子体的下层inp层的半导体本体
机译:一种制造光电半导体器件的方法,其中,在SiCl4和Ar中产生的等离子体中蚀刻出具有GaAs顶层和包含InP的下层的半导体本体
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