State Key Lab on Integrated Optoelectronics, Dept. of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China;
机译:用于在GaN(0001)衬底上制造量子纳米结构的AlGaN / GaN的ECR干蚀刻和选择性MBE生长的研究
机译:ICP刻蚀制备GaInAsP / InP光子晶体激光器并控制点和线复合缺陷的共振模式
机译:ICP刻蚀制备GaInAsP / InP光子晶体激光器并控制点和线复合缺陷的共振模式
机译:纳米结构光子器件制造ICP干蚀刻技术研究
机译:使用纳米球面光刻和RIE刻蚀制造二维纳米结构阵列及其在光学器件中的应用。
机译:通过ICP蚀刻制造和表征黑色GaAs纳米阵列
机译:通过ICP蚀刻制造GaInasp / InP光子晶体激光器,并在点和线复合缺陷中控制谐振模式
机译:用于精确制造光子晶体结构的ICp蚀刻工具