首页> 中文会议>中国电子学会第二届青年学术年会 >利用扫描电子显微镜改进GaAsMESFET背面通孔电镀工艺

利用扫描电子显微镜改进GaAsMESFET背面通孔电镀工艺

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

该文介绍了利用扫描电子显微镜对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ背面通孔形貌及电镀状况进行了分析。

著录项

来源
《中国电子学会第二届青年学术年会》|1996年|63-66|共4页
会议地点南京
作者
赵永军;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类测量和检验;
关键词
扫描电子显微镜;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 利用扫描电子显微镜改进GaAsMESFET背面通孔电镀工艺 [J] . 赵永军 ,王民娟 . 电子器件 . 1997,第001期
2. 利用扫描电子显微镜改进GaAs MESFET背面通孔电镀工艺 [J] . 赵永军 ,王民娟 . 半导体情报 . 1996,第006期
3. 导通孔和通孔填孔镀用的CuSO4电镀工艺"Cu-BRITE TF II" [J] . 蔡积庆 . 印制电路信息 . 2009,第012期
4. 背面通孔工艺对砷化镓滤波器性能的影响 [J] . 彭挺 ,闫未霞 ,郭盼盼 . 电子工艺技术 . 2021,第002期
5. GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析 [J] . 刘海琪 ,王泉慧 ,焦刚 . 固体电子学研究与进展 . 2011,第5期
6. ICP干法刻蚀GaAs背面通孔技术研究 [C] . 陈震 ,魏珂 ,王润梅 . 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 . 2003
7. HDI板通孔与盲孔同步填孔电镀工艺研究 [A] . 刘佳 . 2016

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号