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赵永军; 王民娟; 李江; 杜平国;
电子部第13研究所;
扫描电子显微镜; 背面通孔; 电镀;
机译:用于InGaP / GaAs集热HBT的背面热通孔和发射电极的制造
机译:为InGaP / GaAs收集器的背面热通孔和发射极电极的制造
机译:用于通孔填充和通孔填充的硫酸铜电镀工艺“ Cubelite TFII”
机译:用于InGaP / GaAs双异质结背面接触太阳能电池的通孔蚀刻
机译:通过硅通孔工艺集成,集中在扩散势垒,背面处理和电气特性上
机译:GaAs MMIC的Au-Sn焊料与不同背面金属化系统之间的微观结构表征和界面反应
机译:改进的Cu(In,Ga)Se2太阳能电池的背面钝化:Al2O3背面钝化层和纳米级局部背面触点的组合
机译:用于Gaas等离子蚀刻背面通孔的多功能掩模工艺
机译:半导体装置及利用CMP揭示通过背面通孔形成导电通孔的方法
机译:半导体装置和利用CMP露出背面通孔形成导电通孔的方法
机译:具有背面交替接触的AlGaAs / GaAs太阳能电池(GaAs BAC太阳能电池)
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