密集型源区正面通孔电镀热沉结构的18GHz 300mW GaAsMESFET

摘要

本文简述了采用密集型源区正面通孔结构的CX911型砷化镓微波场效应晶体管的设计要点、结构特点以及主要制作技术及其实测性能。该器件在18GHz下,输出功率为300mW、增益大于4dB、最高输出功率为350mW,增益大于5dB。