PECVD法制备SiO2薄膜的热应力影响研究

摘要

研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的应力与测量温度以及热处理温度的关系。借助FLX-2320-S应力仪测量计算了SiO2薄膜的应力，通过改变薄膜热处理时的温度以及测量时的温度，分析了这些参数对SiO2薄膜应力的影响。同时讨论了应力产生的原因以及随温度条件变化的机理，对热处理条件的选择有一定的参考意义。