CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRON BEAMS; INDIUM PHOSPHIDES; IRRADIATION; PHOSPHORUS; PLASMAS (PHYSICS); RADIATION DAMAGE; VAPOR DEPOSITION; BACKSCATTERING; MIS (SEMICONDUCTORS); SILICON DIOXIDE; SILICON NITRIDES; SUBSTRATES;
机译:脉冲电子束退火对PECVD沉积N掺杂a-SiC:H薄膜辐射损伤的影响
机译:脉冲电子束退火对PECVD沉积N掺杂a-SiC:H薄膜辐射损伤的影响
机译:电子束诱导电流成像表征LE-PECVD生长的Si1-xGex薄膜中的结构缺陷
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机译:聚合物抗蚀剂的电子束感应电导率效应和电子束光刻中的电荷感应电子束偏转模拟。
机译:室温下电子辐照在金属氧化物/ Si界面上形成无定形SiO2;在界面上写入电子束
机译:电子束蒸发在不同氧分压下制备的ZrO2薄膜的激光损伤阈值