公开/公告号CN106555170A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 沈阳拓荆科技有限公司;
申请/专利号CN201510633737.1
申请日2015-09-29
分类号C23C16/44;
代理机构沈阳维特专利商标事务所(普通合伙);
代理人甄玉荃
地址 110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层
入库时间 2023-06-19 01:52:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-26
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/44 申请公布日:20170405 申请日:20150929
发明专利申请公布后的视为撤回
2017-04-05
公开
公开
机译: 用原子层沉积法将氧化物薄膜浸入到卤化物中的卤化物掺杂源,制造卤剂掺杂物的方法,使用原子沉积法沉积到材料上的氧化物,用原子沉积法沉积的氧化膜,用原子方法沉积的薄膜用卤化物氧化薄膜
机译: 通过使用等离子辅助后沉积步骤,在用于沉积低k材料的PECVD工艺中减少颗粒
机译: 使用等离子辅助后沉积步骤沉积小ε材料的PECVD工艺中的颗粒减少