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一种减少PECVD法沉积的薄膜中机械颗粒产生的方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,具体涉及一种减少PECVD法沉积的薄膜中机械颗粒产生的方法,薄膜沉积过程中采用自动传送晶片模式,在设备前端模块通过机械手将晶片传送到真空进样室前,先通过回填氮气阀向真空进样室中通入氮气,再打开真空进样室的进样门,机械手将晶片传送到真空进样室,开始进行薄膜沉积,通过此方法避免了大气进入到真空进样室,减少了大气中携带的尘埃颗粒以及反应源中的硅烷遇到大气后产生的颗粒。

著录项

  • 公开/公告号CN106555170A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳拓荆科技有限公司;

    申请/专利号CN201510633737.1

  • 发明设计人 张孝勇;杨凌旭;戚艳丽;

    申请日2015-09-29

  • 分类号C23C16/44;

  • 代理机构沈阳维特专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人甄玉荃

  • 地址 110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层

  • 入库时间 2023-06-19 01:52:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-26

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/44 申请公布日:20170405 申请日:20150929

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-04-05

    公开

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