机译:r.f.中通过RIE进行的硅表面区域氟化的特定特征CF_4等离子-一种改善PECVD氧化硅薄膜电性能的新颖方法
Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, Poland ,Motor Transport Institute, Jagiellonska 80, 03-301 Warsaw, Poland;
Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, Poland;
MOS; PECVD; RIE; ultra-shallow fluorine implantation; SIMS; electrical characterization;
机译:在RF CF_(4)等离子体中通过RIE氟化硅表面区域来改善PECVD氧化物薄膜的电性能的新方法
机译:高温退火对CF_(4)等离子体中二氧化硅RIE氟化的氟薄栅氧化物的氟分布分布和电物理性能的影响
机译:薄膜硅太阳能电池应用等离子表面处理后掺硼氧化锌薄膜光电性能变化的起源
机译:射频在RIE中对硅表面区域进行氟化的具体特征CF
机译:二氧化硅/硅RIE之后的原位远程RF等离子体清洁和表面表征。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:射频增强等离子体化学气相沉积(RF pECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性质和沉积速率的影响