GaSb基PECVD法制备SiO2薄膜的应力研究

摘要

为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应力情况.通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法模型,对镀膜前后的曲率半径进行了实验测量,利用Stoney公式计算相关应力值并绘制应力变化曲线.详细讨论了PECVD工艺条件的改变对SiO2薄膜应力所产生的影响.同时通过在Si衬底上沉积SiO2薄膜,对比分析了导致薄膜应力产生的因素及变化过程.实验结果表明,在沉积温度为300℃、射频功率为20 W、腔体压强为90 Pa、气体流量比SiH4/N2 O为125/70 cm3·min-1的工艺参数下,PECVD法在GaSb衬底上沉积的SiO2薄膜应力相对较小.