SiO2薄膜

摘要： 为研究ZnO/SiO_(2)/Si复合结构声表面波器件激发瑞利波的特性,通过有限元方法对该复合结构进行三维建模仿真,得到该结构SAW器件所激励的瑞利波特性,以及其位移-频率、导纳-频率特性曲线。为验证有限元仿真结果的正确性,制备了有无反射栅结构的两组SAW器件。采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在Si衬底上制备SiO_(2)薄膜,再采用电子束蒸发镀膜制备ZnO薄膜和金属电极。实验利用矢量网络分析仪对两组器件进行了测试,测得两组SAW器件的谐振频率均与仿真结果相近,有反射栅的SAW器件比无反射栅的SAW器件在谐振频率处S_(11)增大了8.1 dB。结果表明:实验制备的SAW器件特性与仿真结果具有较好的一致性,SAW器件的反射栅的存在增强了回波信号,验证了反射栅的反射特性。

摘要： SiO_(2)薄膜作为集成电路绝缘层、光学薄膜器件以及微机电系统薄膜的重要组成部分,在器件制造中起着重要的作用。为了分析Si基SiO_(2)薄膜的粗糙度,利用原子力显微镜对Si基SiO_(2)薄膜表面进行测试,将得到的表面形貌首先进行平均滤波和图像均衡化处理,再从表面形貌、粒径累积占比、二维傅里叶分析、栅格分析和层次分析等角度分析其粗糙度。结果表明:Si基SiO_(2)薄膜二维与三维表面形貌分布相对平缓,少量突出尖端出现,突出峰的高度为3.20 nm;粗糙度与粒径累积正相关,粒径累积分布变化越集中,越均匀,表面粗糙度越小,其表面平均粒径是3.85 nm;二维傅里叶变换表示薄膜表面梯度变化,暗处较多说明表面梯度较低,粗糙度较小;其表面栅格分布规则,表面粗糙度较小;Si基SiO_(2)薄膜的平均高度为1.36 nm,高度累积占比50%,高度相对较低的表面粗糙度较小。最后得出Si基SiO_(2)薄膜的表面平均粗糙度为0.167 nm。从以上几个角度能够实现对材料表面的粗糙度的测量。为日后研究材料表面的粗糙度具有一定的参考依据。

摘要： 为提高304不锈钢的抗高温氧化性能,以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用溶胶-凝胶法,在不锈钢表面制备了SiO2薄膜,通过氧化动力学,XRD,SEM和EDS分析,研究了涂覆层数对不锈钢900°C抗高温氧化性能的影响.结果表明,SiO2薄膜与不锈钢基体的附着性良好,促进了不锈钢表面发生选择性氧化,生成保护作用的Cr2O3和NiCr2O4氧化层,不锈钢的抗高温氧化性能显著提高,其中涂覆3层SiO2薄膜试样的抗高温氧化性能最佳,经900°C循环氧化100 h后氧化增重与氧化剥落仅为未涂覆试样的58.1％和41.4％.SiO2薄膜涂覆有效提高了不锈钢的抗高温氧化性能,是表面处理方法应用于高温环境的又一尝试,为溶胶-凝胶法制备其他薄膜提供了借鉴和参考.

摘要： 酸性条件下,以正硅酸乙酯为主要原材料,通过溶胶凝胶法引入不同长度桥联基团的有机硅氧烷调节SiO2粒子中的孔径大小和膜层脆性,利用氨基树脂与SiO2粒子交联形成立体网状结构,制备性能稳定的SiO2减反射镀膜液.再利用辊涂法将镀膜液涂覆于光伏玻璃表面,制成的光伏太阳能减反射镀膜玻璃的透过率最高可达94.52％,380～1100 nm波段平均透过率增益高达2.6％,硬度4H,具有较好的光学性能及优异的耐候性.

摘要： 为研究不同钝化工艺栅介质用SiO2薄膜的高能电子辐射缺陷特征,采用能量为1MeV的高能电子在辐照注量为 1×1015 e/cm2、5×1015 e/cm2和 1×1016e/cm2下对三种不同钝化工艺(I,700 nm SiN+500 nm PSG;Ⅱ,1.2μmSiN;Ⅲ,700nmPSG+500nmSiN)的SiO2薄膜进行了辐照试验.拉曼光谱和X射线光电子能谱结果表明Ⅰ和Ⅲ钝化工艺SiO2薄膜形成了非晶硅及双氧根离子,傅立叶红外光谱结果表明Ⅰ钝化工艺SiO2薄膜形成缺陷结构未知的A1、A2、B1及B2缺陷;Ⅱ钝化工艺SiO2薄膜形成A1、B1、及B1'缺陷;Ⅲ钝化工艺SiO2薄膜形成A1、B1'及B2缺陷.

摘要： 以IDT/(002)ZnO/SiO2/Si多层结构的声表面波器件为研究对象,通过有限元软件对单对叉指的三维结构进行有限元仿真,得到了不同的ZnO膜厚对SAW器件所激发瑞利波的相速度、机电耦合系数的影响规律,以及SiO2膜厚与SAW器件频率温度系数之间的关系.采用热氧化、射频磁控溅射以及光刻工艺在Si衬底上分别制备SiO2膜、ZnO膜和IDT,制备了三组不同ZnO膜厚的延迟线型SAW器件.通过X射线衍射仪对制备的ZnO薄膜进行检测,结果表明ZnO薄膜具有良好的(002)晶体取向以及良好的结晶质量.采用矢量网络分析仪对所制作SAW器件进行了测试,得到了器件的传输曲线,实验结果与有限元仿真结果具有较好的一致性.

摘要： 制备SiO2腐蚀溶液BOE,对SiO2湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析.首先分析了光刻工艺对SiO2薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形貌的影响,其次对SiO2侧壁腐蚀形貌的形成原理进行分析,并给出了侧壁形貌控制方法.试验结果表明,光刻胶掩模与SiO2膜层之间的附着性随前烘温度和前烘时间的增加而增强,而介质横向腐蚀速率随附着性的增强而下降,同时纵向腐蚀速率保持恒定.分析了造成侧壁陡直性差的原因,并通过对腐蚀原理分析给出了控制SiO2侧壁腐蚀形貌的方法.

摘要： 针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO2薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间的关系.实验结果表明:在结构方面,SiO2薄膜均匀性主要受到喷淋板孔径大小与结构的影响;在工艺参数方面,SiO2薄膜的膜厚均匀性主要受到反应腔室压力的影响.通过结构和工艺参数的综合调整,制备出了膜厚均匀性好的SiO2薄膜.

摘要： 针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO_(2)薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间的关系。实验结果表明:在结构方面,SiO_(2)薄膜均匀性主要受到喷淋板孔径大小与结构的影响;在工艺参数方面,SiO_(2)薄膜的膜厚均匀性主要受到反应腔室压力的影响。通过结构和工艺参数的综合调整,制备出了膜厚均匀性好的SiO_(2)薄膜。

摘要： 以IDT/(002)ZnO/SiO_(2)/Si多层结构的声表面波器件为研究对象,通过有限元软件对单对叉指的三维结构进行有限元仿真,得到了不同的ZnO膜厚对SAW器件所激发瑞利波的相速度、机电耦合系数的影响规律,以及SiO_(2)膜厚与SAW器件频率温度系数之间的关系。采用热氧化、射频磁控溅射以及光刻工艺在Si衬底上分别制备SiO_(2)膜、ZnO膜和IDT,制备了三组不同ZnO膜厚的延迟线型SAW器件。通过X射线衍射仪对制备的ZnO薄膜进行检测,结果表明ZnO薄膜具有良好的(002)晶体取向以及良好的结晶质量。采用矢量网络分析仪对所制作SAW器件进行了测试,得到了器件的传输曲线,实验结果与有限元仿真结果具有较好的一致性。

摘要： 研究了等离子增强化学气袍淀积(PECVD)制备SiO2薄膜工艺的反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压力、基片温度等工艺参数对沉积速率的影响，并进行了一些理论分析。同时选择几种沉积速率比较高的程序进行LED芯片样品制作，发现SiO2薄膜沉积速率过快，会对其膜的腐蚀速率和绝缘性有一些不良影响，最后给出了比较合适的SiO2薄膜沉积程序。

摘要： 研究了等离子增强化学气袍淀积(PECVD)制备SiO2薄膜工艺的反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压力、基片温度等工艺参数对沉积速率的影响，并进行了一些理论分析。同时选择几种沉积速率比较高的程序进行LED芯片样品制作，发现SiO2薄膜沉积速率过快，会对其膜的腐蚀速率和绝缘性有一些不良影响，最后给出了比较合适的SiO2薄膜沉积程序。

摘要： 研究了等离子增强化学气袍淀积(PECVD)制备SiO2薄膜工艺的反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压力、基片温度等工艺参数对沉积速率的影响，并进行了一些理论分析。同时选择几种沉积速率比较高的程序进行LED芯片样品制作，发现SiO2薄膜沉积速率过快，会对其膜的腐蚀速率和绝缘性有一些不良影响，最后给出了比较合适的SiO2薄膜沉积程序。

摘要： 研究了等离子增强化学气袍淀积(PECVD)制备SiO2薄膜工艺的反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压力、基片温度等工艺参数对沉积速率的影响，并进行了一些理论分析。同时选择几种沉积速率比较高的程序进行LED芯片样品制作，发现SiO2薄膜沉积速率过快，会对其膜的腐蚀速率和绝缘性有一些不良影响，最后给出了比较合适的SiO2薄膜沉积程序。

摘要： 半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域，其中，氧化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料，禁带宽度3.37eV，其在390nm处有很强的荧光发射。本文研究了利用化学方法合成纳米ZnO颗粒，并将其与稀土Eu3+离子共掺于SiO2薄膜中，研究了ZnO的尺寸与浓度对稀土发光的作用和影响，观察到了由于ZnO纳米颗粒与稀土离子之间的能量共振传递所引起的荧光增强效应。

摘要： 半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域，其中，氧化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料，禁带宽度3.37eV，其在390nm处有很强的荧光发射。本文研究了利用化学方法合成纳米ZnO颗粒，并将其与稀土Eu3+离子共掺于SiO2薄膜中，研究了ZnO的尺寸与浓度对稀土发光的作用和影响，观察到了由于ZnO纳米颗粒与稀土离子之间的能量共振传递所引起的荧光增强效应。

摘要： 半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域，其中，氧化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料，禁带宽度3.37eV，其在390nm处有很强的荧光发射。本文研究了利用化学方法合成纳米ZnO颗粒，并将其与稀土Eu3+离子共掺于SiO2薄膜中，研究了ZnO的尺寸与浓度对稀土发光的作用和影响，观察到了由于ZnO纳米颗粒与稀土离子之间的能量共振传递所引起的荧光增强效应。

摘要： 半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域，其中，氧化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料，禁带宽度3.37eV，其在390nm处有很强的荧光发射。本文研究了利用化学方法合成纳米ZnO颗粒，并将其与稀土Eu3+离子共掺于SiO2薄膜中，研究了ZnO的尺寸与浓度对稀土发光的作用和影响，观察到了由于ZnO纳米颗粒与稀土离子之间的能量共振传递所引起的荧光增强效应。

摘要： 半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域，其中，氧化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料，禁带宽度3.37eV，其在390nm处有很强的荧光发射。本文研究了利用化学方法合成纳米ZnO颗粒，并将其与稀土Eu3+离子共掺于SiO2薄膜中，研究了ZnO的尺寸与浓度对稀土发光的作用和影响，观察到了由于ZnO纳米颗粒与稀土离子之间的能量共振传递所引起的荧光增强效应。

摘要： 半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域，其中，氧化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料，禁带宽度3.37eV，其在390nm处有很强的荧光发射。本文研究了利用化学方法合成纳米ZnO颗粒，并将其与稀土Eu3+离子共掺于SiO2薄膜中，研究了ZnO的尺寸与浓度对稀土发光的作用和影响，观察到了由于ZnO纳米颗粒与稀土离子之间的能量共振传递所引起的荧光增强效应。

摘要： 由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。(式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～6的直链或支化状的烷基，R3表示氢原子或碳数1～6的直链或支化状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。)

摘要： 本发明提供一种聚对苯二甲酸丁二醇薄膜的制造方法，在利用使从环状模中挤出的熔融聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂的管因空气的注入而膨胀的空冷膨胀法制造聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜时，将挤出树脂压力设为8.3～13.7MPa，将挤出树脂温度设为所述聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂的熔点-15°C～所述熔点-5°C。

摘要： 本发明提供一种聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜，(1)将聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜和其他的薄膜或薄膜层叠体粘接，将所得的层叠薄膜保持为第一形状的同时，在所述聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜的玻璃转化温度以下的温度T1下进行赋形处理，(2)将所得的赋形层叠薄膜在超过所述玻璃转化温度的温度T2下变形加工为第二形状，(3)然后通过冷却至所述玻璃转化温度以下的温度T3而获得，具有优良的形状记忆性和耐热尺寸稳定性。

摘要： 本发明涉及薄膜材料制备技术领域，具体公开了一种聚对苯二甲酸‑己二酸‑丁二醇酯/聚乳酸生物降解薄膜材料及生物降解薄膜。所述的聚对苯二甲酸‑己二酸‑丁二醇酯/聚乳酸生物降解薄膜材料，包含如下重量份的原料组分：聚乳酸40～60份；聚对苯二甲酸‑己二酸‑丁二醇酯40～60份；聚酯类增塑剂1～3份；所述的聚酯类增塑剂通过包含如下步骤的方法制备得到：将2‑羟基月桂酸与二元酸酐进行酯化反应得月桂酸基二元酸；将月桂酸基二元酸与第二二元酸以及二元醇进行熔融缩聚反应得聚酯类增塑剂。该生物降解薄膜材料具备优异的降解性能以及力学性能，且其中的聚乳酸以及聚对苯二甲酸‑己二酸‑丁二醇酯的玻璃化转变温度。

摘要： 本发明提供了一种TiO2/SiO2-Ag-SiO2纳米复合薄膜的制备方法。该方法采用将Ag离子注入后在石英玻璃衬底中形成Ag纳米颗粒，然后利用直流反应磁控溅射在该二氧化硅衬底表面沉积TiO2薄膜，得到TiO2/SiO2-Ag-SiO2复合薄膜。本发明所制备的Ag纳米颗粒镶嵌在石英玻璃中很好的克服了Ag纳米颗粒被氧化的问题。本办法所制得纳米复合结构可大幅度提高二氧化钛对紫外光部分的吸收，从而提高其光催化效率，能广泛应用于光电子领域。

摘要： 由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。(式中，R

摘要： 本发明提供一种聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜，(1)将聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜和其他的薄膜或薄膜层叠体粘接，将所得的层叠薄膜保持为第一形状的同时，在所述聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜的玻璃转化温度以下的温度T1下进行赋形处理，(2)将所得的赋形层叠薄膜在超过所述玻璃转化温度的温度T2下变形加工为第二形状，(3)然后通过冷却至所述玻璃转化温度以下的温度T3而获得，具有优良的形状记忆性和耐热尺寸稳定性。

摘要： 本发明提供一种聚对苯二甲酸丁二醇薄膜的制造方法，在利用使从环状模中挤出的熔融聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂的管因空气的注入而膨胀的空冷膨胀法制造聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜时，将挤出树脂压力设为8.3～13.7MPa，将挤出树脂温度设为所述聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂的熔点－15°C～所述熔点－5°C。

摘要： 本发明涉及薄膜材料制备技术领域，具体公开了一种聚对苯二甲酸‑己二酸‑丁二醇酯/聚乳酸生物降解薄膜材料及生物降解薄膜。所述的聚对苯二甲酸‑己二酸‑丁二醇酯/聚乳酸生物降解薄膜材料，包含如下重量份的原料组分：聚乳酸40～60份；聚对苯二甲酸‑己二酸‑丁二醇酯40～60份；聚酯类增塑剂1～3份；所述的聚酯类增塑剂通过包含如下步骤的方法制备得到：将2‑羟基月桂酸与二元酸酐进行酯化反应得月桂酸基二元酸；将月桂酸基二元酸与第二二元酸以及二元醇进行熔融缩聚反应得聚酯类增塑剂。该生物降解薄膜材料具备优异的降解性能以及力学性能，且其中的聚乳酸以及聚对苯二甲酸‑己二酸‑丁二醇酯的玻璃化转变温度。

摘要： 本发明公开了一种制备SiO2薄膜的方法，采用PECVD沉积方式制备SiO2薄膜：采用高频与低频交替方式沉积，其中高频频率13.56MHz；低频频率为50‑400KHz；高频功率为20‑100W，低频功率为35‑100W；沉积的气体为混合气体与笑气的混合气体，气体压力为900‑1600mtorr，其中硅烷与笑气的流量比例为90‑300：600‑800；沉积温度为250‑300°C。通过采用高低频交替生长SiO2薄膜，薄膜的致密性较高，抵抗湿气的能力强；通过调整高低频的工艺参数，得到低应力的SiO2薄膜，薄膜通过高低频的交替生长可以得到稳定的低应力SiO2薄膜，工艺稳定可以重复运行应力值保持稳定不漂移。