Laboratoire d'Optique P.M. Duffieux, is from Warsaw University of Technology Institute of Micromechanics and Photonics 8 Chodkiewicza St., 02-525 Warsaw, Poland;
silicon membranes; PECVD; residual stress; interferometry; MEMS/MOEMS testing;
机译:RF PECVD法沉积氮氧化硅薄膜的光学性能研究
机译:PECVD与超浅射频等离子体离子注入制备超薄氮氧化硅层的组成比较
机译:用于纳米光子芯片互连应用的基于PECVD的氮氧化硅薄膜
机译:通过PECVD制造的氮氧化硅薄膜的内应力和光学特性的光学干涉测量研究
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:热退火制造的IN2Se3THIN薄膜结构和光学特性研究
机译:二氧化硅和硅氮氧化物溶胶/凝胶薄膜的介电性能