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1.
Electrodeposition of p-Cu_2O Layers on Co/p-Si Planar Structures
机译:
Co / p-Si平面结构上的p-Cu_2O层的电沉积
作者:
R. G. Delatorre
;
rnV. Stenger
;
rnV. C. Zoldan
;
rnD. L. da Silva
;
rnS. G. dos Santos
;
rnA. D. C. Viegas
;
rnA. A. Pasa
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
2.
Electrodeposition of Au-Sn Alloys from a Modified Non-Cyanide Bath
机译:
改性非氰化物浴中的Au-Sn合金电沉积
作者:
J. L. Cardoso
;
rnS. G. dos Santos Filho
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
3.
Customized Polynomial Contact Lenses via Wet Etching
机译:
通过湿蚀刻定制的多项式隐形眼镜
作者:
Rodolfo F. de Oliveira Costa
;
rnThiago B. Teixeira
;
rnMarco A. Souza Jardim
;
Beijamim R. de Souza
;
rnDavies W. de Lima Monteiro
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
4.
Study of TiO_xN_y MOS Capacitors
机译:
TiO_xN_y MOS电容器的研究
作者:
K.F.Albertin
;
rnT. Niwa
;
rnB.A.M.Nobaro
;
rnD.Criado
;
rnA.Zuniga
;
rnI.Pereyra
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
5.
CdS-Decorated Multi-Walled Carbon Nanotubes as a Material for New Devices
机译:
CdS装饰的多壁碳纳米管作为新设备的材料
作者:
Silva M.F.O.
;
rnRodrigues W.N.
;
rnMiquita D. R.
;
rnLadeira L. O.
;
rnPinheiro C.B.
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
6.
Study of a-Si_(1-x)C_x: H Thin Films Obtained by PECVD in Temperatures Lower than 250℃ Aiming Applications in Optics, Thin Films Devices on Polymeric Substrate and MEMS
机译:
PECVD法在低于250℃的温度下制备a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的研究,旨在用于光学,聚合物基底上的薄膜器件和MEMS
作者:
M. V. Pelegrini
;
rnI. Pereyra
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
7.
Influence of Electronegative Gas on the Efficiency of Conventional and Hollow Cathode Magnetron Sputtering Systems
机译:
电负性气体对常规空心阴极磁控溅射系统效率的影响
作者:
D. A. Duarte
;
rnM. Massi
;
rnA. S. da Silva Sobrinho
;
rnL. Tezani
;
rnL. C. Fontana
;
rnH. S. Maciel
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
8.
The Influence of Poly-Si/SiGe Gate in Threshold, Sub-Threshold Parameters and Low Frequency Noise in p-MOSFETs
机译:
多晶硅/ SiGe栅极对p-MOSFET的阈值,亚阈值参数和低频噪声的影响
作者:
H.G.Jimenez
;
rnL.T. Manera
;
rnM. F. Rautemberg
;
rnJ. A. Diniz
;
rnI. Doi
;
rnP. J. Tatsch
;
H.E.Figueroa
;
rnJ. W. Swart
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
9.
Phase-Shift Photomask Designed by Scalar Diffraction Theory
机译:
标量衍射理论设计的相移光掩模
作者:
G. A. Cirino
;
rnR. D. Mansano
;
rnP. B. Verdonck
;
rnL. Cescato
;
rnE. Marega Jr
;
rnL. G. Neto
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
10.
A new fabrication technique of planar metallic microstructures on alumina substrate
机译:
氧化铝基体上平面金属微结构的新制造技术
作者:
J. S. Costa
;
rnA. Flacker
;
rnF. Fruett
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
11.
Thermal Effects in Fully-Depleted SOI Devices
机译:
完全耗尽的SOI器件中的热效应
作者:
D. Vasileska
;
rnK. Raleva
;
rnS. M. Goodnick
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
12.
The Effect of Microstructure on Electromigration-Induced Failure Development
机译:
微观结构对电迁移诱导失效发展的影响
作者:
R. L. de Orio
;
rnH. Ceric
;
rnJ. Cervenka
;
rnS. Selberherr
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
13.
Resonance Optical Effects and Artificial Microphotonic Electromagnetic Materials
机译:
共振光学效应和人工微光子电磁材料
作者:
M.Yu.Barabanenkov
;
rnV.V.Kazmiruk
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
14.
Wavefront Sensor Using Double-efficiency Quad-cells for the Measurement of High-order Ocular Aberrations
机译:
波前传感器使用双效率四单元电池测量高阶像差
作者:
L. P. Salles
;
rnO. G. Oliveira
;
rnD. W. de Lima Monteiro
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
15.
Porous Silicon Heterostructures for Refractometer Device Application
机译:
多孔硅异质结构在折光仪设备中的应用
作者:
Danilo Roque Huanca
;
rnWalter Jaimes Salcedo
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
16.
Design of a Compact CPW Antenna using MTM-MEMS
机译:
使用MTM-MEMS的紧凑型CPW天线设计
作者:
G. Rosas
;
rnR. Murphy
;
rnA. Corona
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
17.
Performance analysis of single-electron NAND gates
机译:
单电子与非门的性能分析
作者:
Lorena M. Silva
;
rnJanaina G. Guimaraes
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
18.
PDMS (Polydimethylsiloxane) Microfluidic Chip Molding for Love Wave Biosensor
机译:
用于Love Wave生物传感器的PDMS(聚二甲基硅氧烷)微流控芯片成型
作者:
H. Tarbague
;
rnJ. L. Lachaud
;
rnS. Destor
;
rnL. Vellutini
;
rnJ.-P. Pillot
;
rnB. Bennetau
;
rnD. Moynet
;
rnD. Rebiere
;
rnJ. Pistre
;
rnC. Dejous
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
19.
Fabrication Process of Ag/AgCl Reference Pseudo-Electrode Based on Electrodeposition of Au on Pt Surfaces from Formaldehyde Baths: Chemical Stability and Adherence
机译:
基于Au在甲醛浴中Pt表面上电沉积的Ag / AgCl参比电极的制备过程:化学稳定性和附着力
作者:
F. L. Ameida
;
rnJ. L. Cardoso
;
rnM. O. Igarashi
;
rnS. G. dos Santos Filho
;
C. Jimenez-Jorquera
;
rnM. B. A. Fontes
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
20.
A Study of the Geometrical Correction Factor on the Sensitivity of the Transversal Piezoresistive Sensors
机译:
横向压阻传感器灵敏度的几何校正因子研究
作者:
G. O. Coraucci
;
rnR.V.D. de Oliveira
;
rnJ. Godoy Filho
;
rnF. Fruett
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
21.
Flow-injection Analysis Technique Used to Electrochemically Measure Nitrite through a Gold Working Electrode Modified with 1-2 Diaminobenzene (DAB)
机译:
流动注射分析技术通过1-2二氨基苯(DAB)修饰的金工作电极电化学测量亚硝酸盐
作者:
F. L. Ameida
;
rnS.G. dos Santos Filho
;
rnM. B. A. Fontes
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
22.
Electrochemical Migration on Lead-Free Soldering of Pcbs
机译:
铅无铅焊接中的电化学迁移
作者:
Luiz Tadeu Freire Mendes
;
rnValtemar Fernandes Cardoso
;
rnAna Neilde Rodrigues da Silva
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
23.
CNTFET Modelling for Electronic Circuit Design
机译:
用于电子电路设计的CNTFET建模
作者:
R. Marani
;
rnA. G. Perri
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
24.
Metallization Technologies and Strategies for Plastic Based Biochips, Sensors and Actuators for Healthcare and Medical Applications
机译:
医疗保健和医疗应用中基于塑料的生物芯片,传感器和执行器的金属化技术和策略
作者:
Y. Shacham-Diamand
;
rnS. Krylov
;
rnT. Shmilovich
;
rnR. Ofek Almog
;
rnN. Fishelson
;
Y. Sverdlov
;
rnI. Torchinsky
;
rnG. Rosenman
;
rnA. Inberg
;
rnO. Berkh
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
25.
Feasibility Study of Analogue and Digital Temperature Sensors in Nanoscale CMOS Technologies
机译:
纳米CMOS技术中模拟和数字温度传感器的可行性研究
作者:
M. Geljon
;
rnF. Sill
;
rnD.W. de Lima Monteiro
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
26.
Multiwall Carbon Nanotubes Decorated with Metal Oxide Nanoparticles for Gas Sensing Applications
机译:
用金属氧化物纳米颗粒装饰的多壁碳纳米管,用于气体传感应用
作者:
R.V. Gelamo
;
rnA. Abbaspourrad
;
rnC. Verissimo
;
rnA. R. Vaz
;
rnF. P. M. Rouxinol
;
O. L. Alves
;
rnS. A. Moshkalev
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
27.
Biomimeties: Learning From Nature To Make Better Sensors
机译:
生物模仿:向大自然学习以制造更好的传感器
作者:
P.J. French
;
rnD.H.B. Wicaksono
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
28.
Sensitive Continuous Monitoring of pH thanks to Matrix of several Suspended Gate Field Effect Transistors
机译:
借助多个悬浮栅场效应晶体管的矩阵,可灵敏地连续监测pH
作者:
B. da Silva Rodrigues
;
rnO. De Sagazan
;
rnS. Crand
;
rnF. LeBihan
;
O. Bonnaud
;
rnT. Mohammed-Brahim
;
rnN.I. Morimoto
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
29.
Characterization of Cu/Cu_(0.4)Ni_(0.4)P_(0.2) Thermocouples Fabricated on Silicon Surfaces Using Electroless Deposition
机译:
化学沉积沉积在硅表面的Cu / Cu_(0.4)Ni_(0.4)P_(0.2)热电偶的表征
作者:
F. T. S. Parra
;
rnS. G. dos Santos Filho
;
rnA. E. B. Marques
;
rnS. Martini
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
30.
Ni-P, Ni-B and SiO_2 as Materials for Hard Mask in Deep Silicon Etching for MEMS Fabrication using ICP reactor
机译:
Ni-P,Ni-B和SiO_2作为深硅刻蚀中使用ICP反应器制造MEMS的硬掩模材料
作者:
A.M. Nunes
;
rnS. A. Moshkalev
;
rnC. Fischer
;
rnP. J. Tatsch
;
rnA. Flacker
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
31.
DIBL Study Using Triple Gate Unstrained and Uniaxial/Biaxial Strained FinFETs
机译:
使用三栅极无应变和单轴/双轴应变FinFET的DIBL研究
作者:
S. D. Santos
;
rnJ. A. Martino
;
rnE. Simoen
;
rnC. Claeys
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
32.
Low Temperature and Silicon Thickness Influences on the Threshold Voltage of Double-Gate MOSFETs Considering a Charge Based Extraction Procedure
机译:
考虑电荷提取过程的低温和硅厚度对双栅极MOSFET阈值电压的影响
作者:
Renan Trevisoli Doria
;
rnMarcelo Antonio Pavanello
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
33.
Influence of Fin Width and Channel Length on the Performance of Buffers Implemented with Standard and Strained Triple-Gate nFinFETs
机译:
鳍宽和沟道长度对采用标准应变三栅极nFinFET实施的缓冲器性能的影响
作者:
M. A. Pavanello
;
rnJ. A. Martino
;
rnE. Simoen
;
rnR. Rooyackers
;
N. Collaert
;
rnC. Claeys
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
34.
Fabrication and characterization of GeO_2-PbO optical waveguides
机译:
GeO_2-PbO光波导的制备与表征
作者:
V. D. D. Cacho
;
rnL. R. P. Kassab
;
rnA. D. dos Santos
;
rnA. L. Siarkowski
;
rnD. M. da Silva
;
rnN. I. Morimoto
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
35.
Superposition of Positive and Negative Contributions to the Photocurrent Spectrum of InAs/InAlGaAs/InP Quantum Dot Infrared Photodetectors
机译:
InAs / InAlGaAs / InP量子点红外光电探测器对光电流谱的正负贡献的叠加
作者:
T. Gebhard
;
rnD. Alvarenga
;
rnM. P. Pires
;
rnK. Unterrainer
;
P. S. S. Guimaraes
;
rnP. L. Souza
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
36.
Semiconductor microcavity: an intrinsic optical transistor
机译:
半导体微腔:本征光晶体管
作者:
Eduardo Adriano Cotta
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
37.
Composite Electronic Materials for Supercapacitor Applications
机译:
超级电容器应用的复合电子材料
作者:
M. R. Rosario-Canales
;
rnP. Deria
;
rnP. Gopu
;
rnM. J. Therien
;
rnJ. J. Santiago-Aviles
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
38.
Characterization of High-k Al_2O_3 Gate Dielectrics Prepared by Oxidation of Aluminum Thin Films
机译:
铝薄膜氧化制备高k Al_2O_3栅介质的特性
作者:
G. Gozzi
;
rnV. Christiano
;
rnS.A. Conceicao
;
rnV. Sonnenberg
;
rnS. G. dos Santos Filho
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
39.
Optimization of e-beam Systems for Wafer Defect Inspection and for Die-to-Database Verification
机译:
用于晶圆缺陷检查和模具到数据库验证的电子束系统的优化
作者:
V.V.Kazmiruk
;
rnM.Yu.Barabanenkov
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
40.
Three-Dimensional Plasma Etching Simulation using Advanced Ray Tracing and Level Set Techniques
机译:
使用高级射线跟踪和水平集技术的三维等离子刻蚀模拟
作者:
O. Ertl
;
rnS. Selberherr
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
41.
Fin Width Influence on The Harmonic Distortion of Standard and Strained FinFETs Operating in Saturation
机译:
鳍片宽度对在饱和条件下工作的标准和应变FinFET的谐波失真的影响
作者:
R. T. Doria
;
rnA. Cerdeira
;
rnJ. A. Martino
;
rnE. Simoen
;
rnC. Claeys
;
rnM. A. Pavanello
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
42.
Application of the Symmetric Doped Double-Gate Model in Circuit Simulation Containing Double-Gate Graded-Channel Transistors
机译:
对称掺杂双栅模型在包含双栅梯度沟道晶体管的电路仿真中的应用
作者:
E. Contreras
;
rnA. Cerdeira
;
rnJ. Alvarado
;
rnM. A. Pavanello
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
43.
Analysis of the Total Resistance in Standard and Strained FinFET Devices With and Without the Use of SEG
机译:
使用和不使用SEG的标准和应变FinFET器件中的总电阻分析
作者:
T. Nicoletti
;
rnJ. A. Martino
;
rnE. Simoen
;
rnC. Claeys
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
44.
Back-Gate Influence on the Mobility Behavior in Ultrathin FD SOI Devices
机译:
背栅对超薄FD SOI器件的迁移行为的影响
作者:
C. D. G. dos Santos
;
rnL. Pham-Nguyen
;
rnS. Cristoloveanu
;
rnC. Fenouillet-Beranger
;
rnJ. A. Martino
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
45.
Computational Intelligence Optimization Method for AlGaAs/GaAs Quantum Well Solar Cells
机译:
AlGaAs / GaAs量子阱太阳能电池的计算智能优化方法
作者:
A. P. Singulani
;
rnP. L. Souza
;
rnO. P. Vilela Neto
;
rnM. P. Pires
;
rnM. C. Pacheco
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
46.
Smart Solar Cluster A Self-reeonfigurable Photovoltaic Approach
机译:
智能太阳能集群:一种可自我重塑的光伏方法
作者:
Agata M. de Carvalho
;
rnDavies W. de Lima Monteiro
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
47.
Intrinsically Self-Amplified CMOS Image Sensor
机译:
本征自放大CMOS图像传感器
作者:
P. M. Santos
;
rnD. W. de Lima Monteiro
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
48.
A possible Organic Solar Cell Based on Buriti Oil
机译:
基于Buriti油的可能的有机太阳能电池
作者:
E. R. da Silva
;
rnJ. A. Duraes
;
rnA. M. Ceschin
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
49.
Laser Annealing of Self-Aligned As~+ Implants in Contact Windows for Ultrashallow Junction Formation
机译:
接触窗口中自对准As〜+植入物的激光退火以形成超浅结。
作者:
C. Biasotto
;
rnV. Gonda
;
rnL. K. Nanver
;
rnJ. van der Cingel
;
rnV. Jovanovic
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
50.
Sensitivity Analysis of Pd-MOS Structure for Hydrogenated Gases by Scanning Light Pulse Technique
机译:
扫描光脉冲技术对氢化气体Pd-MOS结构的敏感性分析
作者:
M. S. Braga
;
rnK. R. M. Matos
;
rnD. S. Santos
;
rnF. J. Ramirez-Fernandez
;
rnW. J. Salcedo
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
51.
Structural Characterization of Arsenic Implanted SOI
机译:
砷注入SOI的结构表征
作者:
R.M. de Oliveira
;
rnM. Dalponte
;
rnH. Boudinov
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
52.
Study of Variations of the Electrospinning Process
机译:
电纺丝工艺变化的研究
作者:
R. Furlan
;
rnS. V. Arroyo
;
rnR. O. F. Torres
;
rnJ. A. M. Rosado
;
rnA. N. R. da Silva
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
53.
Characterization of Gold-Formaldehyde Baths for Electrochemical Deposition
机译:
用于电化学沉积的金甲醛浴的表征
作者:
J. L. Cardoso
;
rnS. G. dos Santos Filho
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
54.
Comparative Study of MDMO-PPV Thin-Film Transistors Using Thermal SiO_2 and PECVD Silicon Oxynitride as Insulator
机译:
使用热SiO_2和PECVD氧氮化硅作为绝缘体的MDMO-PPV薄膜晶体管的比较研究
作者:
M. R. Cavallari
;
rnK. F. Albertin
;
rnG. Santos
;
rnC. A. S. Ramos
;
rnI. Pereyra
;
rnF. J. Fonseca
;
rnA. M. Andrade
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
55.
Deposition of Carbon Nanotubes on Silicon for Field Emission Application
机译:
在硅上沉积碳纳米管以进行场发射应用
作者:
M. O. S. Dantas
;
rnE. Galeazzo
;
rnH. E. M. Peres
;
rnF. J. Ramirez-Fernandez
;
E. C. Diniz
;
rnR. H. R. Castro
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
56.
Electrical Characterization of Undoped, N- and P-Type Thermal Annealed PECVD SiC Films Deposited on Transparent Insulator Substrates
机译:
沉积在透明绝缘体衬底上的未掺杂,N型和P型热退火PECVD SiC薄膜的电学特性
作者:
A.R. Oliveira
;
rnI. Pereyra
;
rnM.N.P. Carreno
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
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2009年
57.
On the Performance of Thin-Film Lateral SOI PIN Diodes as Thermal Sensors in a Wide Temperature Range
机译:
薄膜横向SOI PIN二极管在宽温度范围内作为热传感器的性能
作者:
M. de Souza
;
rnB. Rue
;
rnD. Flandre
;
rnM. A. Pavanello
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
58.
Transformation Between Power-law and Polynomial Thin-Film Transistor Models
机译:
幂律和多项式薄膜晶体管模型之间的转换
作者:
A. Ortiz-Conde
;
rnF. J. Garcia Sanchez
;
rnJ. Muci
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
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2009年
59.
Reduction in on-resistance of LDMOS transistor for improved RF performance
机译:
降低LDMOS晶体管的导通电阻以改善RF性能
作者:
A. Kashif
;
rnC. Svensson
;
rnQ. Wahab
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
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2009年
60.
Equivalent Circuit for NBTI Evaluation in CMOS Logic Gates
机译:
CMOS逻辑门中用于NBTI评估的等效电路
作者:
N. Schuch
;
rnV. D. Bem
;
rnA. I. Reis
;
rnR. P. Ribas
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
61.
Using Cynthia SOI MOSFET to Improve Voltage Gain of Analog Integrated Circuits
机译:
使用Cynthia SOI MOSFET改善模拟集成电路的电压增益
作者:
D. R. Oliveira
;
rnS. P. Gimenez
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
62.
Impact of Confinement and Stress on the Subband Parameters in Ultra-Thin Silicon Films
机译:
约束和应力对超薄硅膜子带参数的影响
作者:
V. Sverdlov
;
rnO. Baumgartner
;
rnT. Windbacher
;
rnF. Schanovsky
;
rnS. Selberherr
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
63.
Extraction of MOSFET Model Parameters from the Measured Source-to-drain Resistance
机译:
从测得的源漏电阻中提取MOSFET模型参数
作者:
F.J. Garcia-Sanchez
;
rnJ. Muci
;
rnD.C. Lugo Munoz
;
A.D. Latorre Rey
;
rnA. Ortiz-Conde
;
rnC.-S. Ho
;
rnJ.J. Liou
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
64.
A Novel Overlapping Circular-Gate Transistor and its Application to Power MOSFETs
机译:
新型重叠式圆栅晶体管及其在功率MOSFET中的应用
作者:
Jader A. De Lima
;
rnSalvador P. Gimenez
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
65.
Development of Optimal Symmetric Focused SAW Atomizers for Nanoliter Single Droplet Atomization
机译:
纳升单液滴雾化的最佳对称聚焦声表面波雾化器的开发
作者:
S. M. Balashov
;
rnA. Pavani Filho
;
rnO. V. Balashova
;
rnM. G. de Almeida
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
66.
Ladder Type SAW Filters Using Quasi-Synchronous Resonators with Thinned Density of Randomly Distributed 'Hot' Electrodes
机译:
使用准同步谐振器的阶梯型SAW滤波器,具有稀疏分布的“热”电极密度
作者:
C. U. Kim
;
rnS. M. Balashov
;
rnV.P. Plessky
;
rnC. W. Nam
;
rnL. K. Chul
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
67.
Stadium Cavity Optical Resonator Fabricated by Focused Ion Beam
机译:
聚焦离子束制造的体育场腔光学谐振器
作者:
A. da Silva Filho
;
rnL. A. M. Barea
;
rnA. R. Vaz
;
rnN. C. Frateschi
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
68.
Fabrication and Characterization of Active Pixel Sensors (APS) Using Simple Metal Gate nMOS Technology
机译:
使用简单金属栅极nMOS技术制造和表征有源像素传感器(APS)
作者:
A. S. O. Furtado
;
rnJ. A. Diniz
;
rnD. W. de Lima Monteiro
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
69.
Radiation Effects on SOI Microrelays for Space Applications
机译:
空间应用中SOI微继电器的辐射效应
作者:
A. Lozano
;
rnF. Palumbo
;
rnM. Alurralde
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
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2009年
70.
The Impact of CMOS Logic Gate Topologies on Performance Variability
机译:
CMOS逻辑门拓扑对性能可变性的影响
作者:
D. N. da Silva
;
rnA. I. Reis
;
rnR. P. Ribas
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
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2009年
71.
Solution processing of polymer photovoltaic solar cells in air or under inert atmosphere
机译:
在空气中或惰性气氛下对聚合物光伏太阳能电池进行固溶处理
作者:
M.T. Dang
;
rnG. Wantz
;
rnL. Hirsch
;
rnJ.P. Parneix
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
72.
Nanoparticle Floating Gate Flash Memories
机译:
纳米粒子浮栅闪存
作者:
S. K. Banerjee
;
rnF. Ferdousi
;
rnH. Liu
;
rnD. Ferrer
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
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2009年
73.
Optical Diagnostics of SF_6 Low Pressure Plasma Jet Applied to Silicon Etching
机译:
SF_6低压等离子射流在硅刻蚀中的光学诊断
作者:
R. S. Pessoa
;
rnL. Tezani
;
rnS. M. Wakavaiachi
;
rnH. S. Maciel
;
rnG. Petraconi
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
74.
Highly Effective Etching Using Excimer Irradiation and a Crossed-Form Tool
机译:
使用受激准分子辐照和十字形工具进行高效蚀刻
作者:
P.S. Pa
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
75.
Analysis of the interface trap density in SOI FinFETs with different TiN gate electrode thickness through charge pumping technique
机译:
通过电荷泵浦技术分析具有不同TiN栅电极厚度的SOI FinFET中的界面陷阱密度
作者:
M. Rodrigues
;
rnM. Cho
;
rnJ.A. Martino
;
rnN. Collaert
;
rnA. Mercha
;
rnE. Simoen
;
rnC. Claeys
会议名称:
《Microelectronics technology and devices-SBMicro 2009》
|
2009年
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