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刘玉岭; 金杰;
不详;
硅; 反向补偿; CVD; 外延; 自掺杂;
机译:LPCVD在织构双层多孔硅上进行硅外延
机译:NREL热线CVD研发的最新进展:从18%的硅异质结电池到玻璃兼容温度下的硅外延
机译:外延生长石墨烯的自掺杂效应
机译:通过低温快速热化学气相沉积抑制硅外延中的磷自掺杂,获得超锐利磷剖面
机译:CVD反应器中硅外延和粒子动力学的理论/实验研究
机译:沉积速率对等离子体增强CVD外延硅结构性能的影响
机译:用于开发和表征光伏硅的等离子体工艺的开发:通过PECVD沉积硅的外延薄层:通过LIBS测量固态(20°C)和液态(1414°C)的硅的纯度
机译:硅同质外延薄膜的电子束辅助CVD
机译:形成在硅外延层中的霍尔效应器件,用于感测平行于外延层的磁场
机译:双极晶体管包括用于高频操作的硅层,第一类型的硅外延层,硅锗外延层和第二类型的硅外延层
机译:CVD反应器和在硅上合成碳化硅异质外延膜的方法
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