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Développement de procédés plasma pour l'élaboration et la caractérisation du silicium photovoltaïque : dépôt de couches minces épitaxiées de silicium par PECVD : mesure de la pureté du silicium à l'état solide ( 20°C) et liquide (1414°C) par LIBS

机译:用于开发和表征光伏硅的等离子体工艺的开发:通过PECVD沉积硅的外延薄层:通过LIBS测量固态(20°C)和液态(1414°C)的硅的纯度

摘要

Today, the main limiting factor of PV is the high price of electricity production by the PV modules. To cope with this difficulty, current researches focus on several ways and alternatives solutions: reducing energy costs including reducing the cost of the raw material, which consists in reducing the thickness of silicon wafers or in the development of cells in thin silicon layers. The latter process is intended to overcome the sawing step of silicon ingots which is necessary for the realization of photovoltaic wafer. It is this very approach that led us to develop a method to prepare thin films by using plasma and heating the substrate. Moreover, whatever the method chosen to achieve the required crystallinity and purity for solar grade, it is necessary to have a multi-elements analytical technique to control the evolution of purity. In our laboratory, we have developed LIBS which can meet these expectations, i-e very low detection limits while allowing online tracking of silicon in solid or liquid state.
机译:如今,光伏发电的主要限制因素是光伏组件发电的高昂价格。为了解决这个难题,当前的研究集中在几种方法和替代解决方案上:降低能源成本,包括降低原材料成本,这包括减少硅晶片的厚度或开发薄硅层中的电池。后一过程旨在克服硅锭的锯切步骤,这对于实现光伏晶片是必需的。正是这种方法使我们开发了一种通过使用等离子体并加热基板来制备薄膜的方法。此外,无论选择哪种方法来达到太阳能级所需的结晶度和纯度,都必须有一种多元素分析技术来控制纯度的演变。在我们的实验室中,我们开发了可以满足这些期望的LIBS,即非常低的检测限,同时允许在线跟踪固态或液态硅。

著录项

  • 作者

    Benrabbah Rafik;

  • 作者单位
  • 年度 2015
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  • 正文语种 fr
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