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刘玉岭; 金杰; 徐晓辉;
河北工学院;
硅; CVD; 外延; 自掺杂; 半导体;
机译:通过相反方向的补偿来减弱Si CVD外延中自动掺杂效应的方法
机译:Ⅲ-Ⅴ族化合物气相外延过程中硅的掺入:焓-熵补偿效应的证据
机译:NREL热线CVD研发的最新进展:从18%的硅异质结电池到玻璃兼容温度下的硅外延
机译:通过低温快速热化学气相沉积抑制硅外延中的磷自掺杂,获得超锐利磷剖面
机译:CVD反应器中硅外延和粒子动力学的理论/实验研究
机译:沉积速率对等离子体增强CVD外延硅结构性能的影响
机译:外延生长石墨烯中的自掺杂效应
机译:硅同质外延薄膜的电子束辅助CVD
机译:无自掺杂和后晕的外延硅晶片
机译:在辐射加热桶式CVD反应器中的硅衬底上进行硅外延沉积,包括将衬底加热至最高温度,而无需中间停留时间
机译:形成在硅外延层中的霍尔效应器件,用于感测平行于外延层的磁场
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