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王向武; 陆春一; 马利行;
南京电子器件研究所;
自掺杂; 减压; 二步外延; 硅; 外延生长;
机译:改进的脉冲式MOS电容器,用于表征超净薄外延$ {rm p} / {rm p} ^ {+} $硅外延层
机译:评估嵌入式多孔硅层对外延层的整体寿命以及外延层/多孔硅界面处界面复合的影响
机译:底部压印法用铝催化剂外延生长硅外延纳米线阵列
机译:氟对掺砷非晶硅和多晶硅外延生长的影响,氯对掺砷多晶硅外延生长的影响
机译:改进IV族光子图:研究外延生长,低温硅和掺杂硅薄膜的材料特性
机译:化学溶液沉积法在硅上制备大孔外延石英薄膜
机译:施加磁场对自掺杂La0.9mnO3 / 0.8wt%Nb-srTiO3异质外延结中整流特性的影响
机译:富含缺陷外延对晶体硅/非晶硅异质结太阳能电池的影响及低迁移率层用于提高性能。
机译:无自掺杂和后晕的外延硅晶片
机译:利用多孔硅外延法形成硅微结构的方法
机译:在具有减小的寄生电容的n +外延晶片中形成硅通孔的方法
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