外延

摘要： 新时期对外贸易被赋予了新的外延和作用:贸易开放度成为一国对外开放的基本标志,国内贸易和对外贸易的协调发展是一国经济可持续发展的坚实基础,经济外交成为当前国际关系发展中的突出特征,贸易政策趋向于与其他经济政策更大程度地融合,传统贸易政策逐渐被竞争性贸易政策所取代等。当前,我国外贸发展仍面临外部环境变化增加我贸易强国建设的难度,货物贸易同投资模式的融合发展仍需较长的过渡时间,贸易结构升级与产业链提升须进一步加大力度,提高贸易发展质量和效益任务依旧艰巨等不利条件和困难。促进外贸平稳健康发展,需要进一步改善营商环境为参与全球价值链竞争合作奠定基础,提高对外贸易发展的质量和效益,积极融入全球价值链合作,促进对外投资的健康发展以巩固我在全球的生产网络布局,积极参与全球治理,不断贡献中国智慧和中国力量。

摘要： 2020年,华为旗下哈勃投资增资入股碳化硅外延厂商瀚天天成;2021年7月,哈勃又分别投资碳化硅衬底和外延企业--天岳先进和东莞天域。近年来,华为频频出手投资第三代半导体产业,尤其是在碳化硅领域,已经成为该赛道最大投资者之一了。华为缘何对碳化硅如此看重?

摘要： 本研究从公民对终身学习的现状和需求出发,对辽宁省开展抽样式问卷调查。现状结果包括公民认知、学习投入、学习活动、学习动机、学习途径、学习意愿、学习内容、学习方式、学习机构、学习费用和学习困难,并针对上述问题提出相关的对策建议。

摘要： 以过渡金属为催化衬底的化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)已经可以制备与机械剥离样品相媲美的石墨烯,是实现石墨烯工业应用的关键技术之一。原子尺度理论研究能够帮助我们深刻理解石墨烯生长机理,为实验现象提供合理的解释,并有可能成为将来实验设计的理论指导。本文从理论计算的角度,总结了各种金属衬底在石墨烯CVD生长过程中的各种作用与相应的机理,包括在催化碳源裂解、降低石墨烯成核密度等,催化加快石墨烯快速生长,修复石墨烯生长过程中产生的缺陷,控制外延生长石墨烯的晶格取向,以及在降温过程中石墨烯褶皱与金属表面台阶束的形成过程等。在本文最后,我们对当前石墨烯生长领域中亟需解决的理论问题进行了深入探讨与展望。

摘要： 生物学概念是生物学科素养的核心,生物学概念教学在生物教学中占有重要地位,学生学习生物学概念可以为其日后掌握生命活动规律、理解生物现象奠定基础。深度教学背景下的初中生物概念教学可以促使学生深刻理解生物概念的内涵和外延,提高学生分析问题和解决问题的能力。文章从初中生物概念教学存在的问题入手,分析生物概念的内涵和外延,明确深度教学背景下初中生物概念教学的意义,提出深度教学背景下初中生物概念教学的策略。

摘要： 思政课VR教学平台的建设与运用,是增强思政课实效性和先进性、提升思政课亲和力和针对性的有效方式,但在实际教学中要防止喧宾夺主现象的发生,避免重形式而轻内容、重技术而轻人文、重手段而轻效果的偏向。要以推进建设高校思政课VR教学平台为切入点,深刻理解和把握思政课VR教学平台有效运用的内涵与外延。

摘要： 目的回顾国内外护生批判性思维评价的特点及应用局限,为开发我国护生批判性思维的培养及评价方案提供参考。方法回顾并分析国内外相关研究,从批判性思维的内涵和外延,我国护生批判性思维教育存在的问题,国外护生批判性思维评价的特点及其对我国护理教育的启示几个方面进行阐述。结果国外批判性思维评价致力探索适合护生特有的评价工具,注重对反思性素材及时评价和反馈,但评价工具缺乏系统性;国内护生批判性思维评价工具存在一定的信度、效度偏差,培养重点关注做出正确的临床决策,忽视批判性思维对护生自我完善和自我成长的作用。结论护理教育及实践者应该深入了解批判性思维的内涵和外延,选择合适的理论框架,思考探索适合中国护生的批判性思维评价工具,使得评价方式多样化、专业化、本土化。

摘要： 近年来LaNiO_(3)(LNO)作为铁电超晶格、超导异质结和催化剂材料引起了广泛关注。本研究采用简便、低成本的高分子辅助沉积法(Polymer Assisted Deposition,PAD),在(001)取向的SrTiO_(3)(STO)单晶衬底上制备了导电性能优异的LNO外延薄膜,并对其进行各种结构和电学表征。摇摆曲线半高宽为0.38°,表明LNO薄膜结晶度良好。高分辨XRD的Φ扫描进一步证实LNO薄膜在STO衬底上异质外延生长。原位变温XRD测试进一步表征了LNO薄膜的外延生长过程。结果表明,聚合物分解之后金属阳离子在单晶基体上有序释放并外延结晶。XPS结果表明,采用PAD制备的LaNiO_(3)薄膜不存在氧空位。薄膜表面光滑,粗糙度为0.67nm。在10~300K温度区间内的变温电阻率表明LNO薄膜具有良好的导电性能。上述结果表明:PAD制备的LaNiO_(3)薄膜具有较好的综合性能,PAD在制备外延功能薄膜材料方面具有很大的潜力。

摘要： 本文结合中国园林史课程案例,提出面向内生——外延进行构架的史论教育观以及多方位激发、微观夯实构建的园林史课程教学理论,探索“内”“外”协同育人、深度激发文化自信的教学方法。

摘要： In Ga As/In P PIN型光电探测器具有低暗电流、高灵敏度和响应速度快的特性,且能够吸收1-1.7μm红外波段光辐射,因此广泛应用于光纤通信系统。该文设计了一种平面型In Ga As/In P PIN光电探测器芯片,重点介绍了该芯片的外延结构与芯片加工工艺,并对芯片参数进行了测试。

摘要： 任何一个科学问题的解决都包含基本解和基本解的外延这两个方面。基本解是对该科学问题不产生歧义的解释，是全人类智慧的结晶；外延则是以基本解为出发点，改变边界条件的数量和性质以后得出的解决方案。如果这个解决方案得到广泛的认同，基本解的外延就转变为新的基本解。同样，当新的观察事实与基本解相矛盾的时候，这个原来认定的基本解就会降级为另一个基本解的一个具体解决方案或次级基本解。因此，科学研究的实质就是追求科学问题基本解的过程。本文试图以岩浆作用与成矿作用的关系来说明这个问题，以期有益于同行研究过程中的哲学思考。

摘要： 概念的产生必然会伴随着内涵和外延的发展而产生蜕变,工业设计从幼小的一粒种子,伴随着中国教育和经济的发展,正在我们设计环境里绽放出眩目的花朵,然而我们在憧憬美好的未来,向往希望的前景时,每一位从事工业设计的人对工业设计的现实充满迷茫,我们对于工业设计的认识足够了吗?它的学科基础是什么?它的理论基础是什么?笔者并非是权威人士,无力为这么大的命题给出确定的答案,我仅就我在工作和学习遇到关于工业设计的问题展开一点想法,权认为这也是对中国工业设计的一种关心吧!

摘要： 文章综合论述了碲镉汞外延用的衬底材料的现状,着重介绍了几种衬底材料CdTe、Al2O3、GaAs、Ge、Si等的性能特点与各自的优缺点,评述了它们在碲镉汞外延中的使用情况,并对其未来的发展方向做出了预测.

摘要： 本文介绍了一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制,该器件为P+/P/N/N+的双漂移结构,对外延层与衬底之间的过渡区宽度以及外延之间的宽度和掺杂浓度有特殊要求,通过外延工艺的改进,使得漂移区宽度以及P区和N区的掺杂浓度得到精确控制,提高了器件微波性能.

摘要： 图形畸变和漂移是外延工艺中常见的缺陷.除此之外,发现图形台阶高度也是重要的参数,它可以简单直接地表明是否图形完整.本文从理论上探讨了图形不完整的根本原因.实验结果也验证了这些观点,同时,该技术已成功地应用于新品开发.

摘要： 采用PLD方法在(100),(110)和(111)3种单晶Ag上沉积YBCO超导膜,从实验结果可知,在(100),(110)Ag单晶上沉积的YBCO膜是外延生长的,都具有良好的双轴取向,在(100)单晶上的外延关系:(001)‖{100},[100]或[010]‖Ag.在(110)单晶上的外延关系:(001)‖{110},[100]或[010]‖Ag.但是(111)Ag单晶上沉积的YBCO膜只有很强的c-轴织构,面内取向不唯一.我们从晶格错配率的角度研究了其外延机理,对实验结果给予了合理的解释.

摘要： 本文作者对生物多样性与生态系统功能的最基本的问题——内涵与外延进行了讨论,以使大家对生物多样性和生态系统功能研究有一个统一明确的认识.

摘要： 通过对API规范9A—1995钢丝绳规范和GB/T8706-2006/IS017893：2004钢丝绳术语、标记和分类等国内外相关技术标准的学习，探讨锻打钢丝绳术语的内涵与外延，结合国外著名钢丝绳企业的产品样本。对常规锻打和高级锻打术语提出初步的理解，以期与同仁进行商榷。

摘要： 采用TFA-MOD工艺在LaAlO(100)衬底上制备了临界电流密度高达1.5MA/cm(77K,0T)的YBCO超导薄膜材料,其超导转变温度接近91K;同时还在LaAlO(100)衬底上采用溶胶—凝胶工艺制备了具有高度外延取向的BaSrTiO缓冲层材料,在此基础上采用TFA-MOD工艺沉积的YBCO超导薄膜也获得了高达0.25MA/cm(77K,0T)的临界电流密度.

摘要： 虚拟资本是近年来的研究热点，但对虚拟资本概念理解上的差异导致了不同的分析结论。从虚拟资本的内涵与外延两个角度，对不同的结论进行了比较分析。本文认为对虚拟资本词义的理解存在着从“贬义”到“中性”的回归，货币定义中的存款是虚拟资本，外汇也是虚拟资本。

摘要： 本发明涉及一种外延衬底，用于生长外延层，该外延衬底包括：一基底，该基底具有一图案化的表面作为外延生长面，其中，所述外延衬底进一步包括一碳纳米管层覆盖所述基底的外延生长面设置。本发明进一步提供外延衬底的制备方法及其作为生长外延层的应用。

摘要： 本发明公开了红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构。一种红光LED外延片的分割方法，包括：在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层；将涂覆保护层之后的红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片,所述第一位置与所述第二位置不重叠。本发明的技术方案，通过在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层，然后氧化未涂覆保护层的第二位置以将红光LED外延片进行分割，解决了红光LED外延片分割成本高、损伤大的问题，达到了降低红光LED外延片分割成本和减小红光LED外延片分割损伤的效果。

摘要： SiC外延晶圆（1）具备小于4度的偏角衬底（2）、和配置在小于4度的偏角衬底（2）上的SiC外延生长层（3），SiC外延生长层以Si化合物为Si的供给源，并以C化合物为C的供给源，使载流子密度均匀性小于10％，且缺陷密度小于1个/cm2，Si化合物与C化合物之C/Si比具有0.7以上0.95以下的范围。提供在低偏角SiC衬底上SiC外延生长中，膜厚均匀性及载流子密度均匀性优异，且表面缺陷少的高质量的SiC外延晶圆、SiC外延晶圆的制造装置、SiC外延晶圆的制造方法及半导体装置。

摘要： 本公开公开了一种外延托盘及外延托盘应用的发光二极管外延片制备方法，属于外延生长技术领域。外延托盘具有圆形凹槽，在圆形凹槽的底面增加多个延伸至外延托盘的另一端的孔洞。将衬底放置在圆形凹槽内，反应腔压力大于外延托盘的孔洞内的压力，压差作用下，衬底会吸附在孔洞上，减小衬底位置出现偏离的可能。衬底被孔洞的吸附力吸附在圆形凹槽的中部，抵消离心力对衬底的影响，减小衬底的外周壁与圆形凹槽的侧壁直接接触的可能性。衬底主要是端面与圆形凹槽的底面相接触，衬底的端面接收的热量与衬底本身的温度较为均匀，因此在衬底各处生长的外延材料也较为均匀，可以提高得到的外延片的质量与均匀程度来提高发光均匀度。

摘要： 本发明提供一种外延晶圆背面检查方法，能够检测出外延晶圆背面的针印缺陷，且能够定量地评价该针印缺陷的各个点状缺陷的缺陷尺寸。基于本发明的外延晶圆背面的检查方法包括：一边以扫描部扫描光学系统，一边连续地拍摄外延晶圆背面的部分图像的拍摄工序（S10）；从所述部分图像中获取所述背面的整体图像的获取工序（S20）；从所述整体图像中检测出由存在于所述背面的多个点状缺陷所组成的组构成的针印缺陷的检测工序（S30）；对所述检测出的所述针印缺陷的各个点状缺陷进行数值化处理，算出所述各个点状缺陷的缺陷面积的数值化处理工序（S40）。

摘要： 本发明提供一种外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销，外延成长装置能够减少对外延硅晶片的背面产生瑕疵，并且能够减少尘粒附着于晶片的表面。在所述外延成长装置中，在腔室的内部具备：载置硅晶片(W)的基座(4)；从下方支承该基座(4)，并且具有与基座(4)的中心位于同轴上的主柱和从该主柱呈放射状延伸的支承臂(17b)的支承轴；以及插通于设置在基座(4)的贯穿孔(4h)以及设置在支承臂(17b)的贯穿孔(17h)双方，并在铅垂方向上移动自如地配设的顶升销(15)，外延成长装置使该顶升销(15)升降来使硅晶片(W)载置于基座(4)上或与基座(4)分离，所述外延成长装置的特征在于，顶升销(15)的至少其表层区域由硬度低于基座(4)的硬度的材料构成，顶升销(15)的穿过基座(4)的贯穿孔(4h)内的直体部上部区域(15d)的表面粗糙度是0.1μm以上且0.3μm以下，并且顶升销(15)的穿过支承臂(17b)的贯穿孔(17h)内的直体部下部区域(15c)的表面粗糙度是1μm以上且10μm以下。

摘要： 本发明涉及一种外延衬底，用于生长外延层，该外延衬底包括：一基底，该基底具有一图案化的表面作为外延生长面，其中，所述外延衬底进一步包括一碳纳米管层覆盖所述基底的外延生长面设置。本发明进一步提供外延衬底的制备方法及其作为生长外延层的应用。

摘要： 本发明实施例公开了一种外延反应腔室的恢复方法、外延生长装置及外延晶圆；将新基座装载至烘烤腔室中，并根据时间非线性地升高所述烘烤腔室内部温度以对所述新基座进行烘烤；待所述新基座烘烤完成后，将所述新基座安装至外延反应腔室中，并对所述外延反应腔室按照设定的烘烤条件升高所述外延反应腔室内部温度以对所述外延反应腔室内部进行烘烤；待所述外延反应腔室内部烘烤完成后，开始制备外延晶圆并测量所述外延晶圆的MCLT值。

摘要： 本公开公开了一种外延托盘及外延托盘应用的发光二极管外延片制备方法，属于外延生长技术领域。外延托盘具有圆形凹槽，在圆形凹槽的底面增加多个延伸至外延托盘的另一端的孔洞。将衬底放置在圆形凹槽内，反应腔压力大于外延托盘的孔洞内的压力，压差作用下，衬底会吸附在孔洞上，减小衬底位置出现偏离的可能。衬底被孔洞的吸附力吸附在圆形凹槽的中部，抵消离心力对衬底的影响，减小衬底的外周壁与圆形凹槽的侧壁直接接触的可能性。衬底主要是端面与圆形凹槽的底面相接触，衬底的端面接收的热量与衬底本身的温度较为均匀，因此在衬底各处生长的外延材料也较为均匀，可以提高得到的外延片的质量与均匀程度来提高发光均匀度。

摘要： 本发明提供一种外延片的制造方法，该制造方法具有：准备在外周部具有倒角部的硅系基板的工序；在所述硅系基板的所述倒角部，形成沿着所述倒角部的内周缘的圆环状的沟槽的工序；以及在形成有所述沟槽的所述硅系基板上进行外延生长的工序。由此，提供一种可抑制产生在外周倒角部的裂缝向中心部方向伸长的外延片的制造方法。