可替代65nm以上混载DRAM的高密度内存

摘要

瑞萨科技日前开发出一款面向65nm工艺以上SoC（系统级芯片）混载用途的高密度内存“TTRAM（twin transistor RAM）”。旨在取代传统的SoC混载DRAM。TTRAM由2个在SOI（Silicon On Insulator）底板上形成内存单元的MOS晶体管构成。由于无需使用传统DRAM必备的电容器，所以采用65nm以上工艺仍可能继续增大密度。