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便携产品; DRAM; LSI; NEC; 混载; 开发; 电子; 90nm工艺;
机译:NEC Electronics 40nm工艺DRAM嵌入式系统LSI
机译:NEC Electronics 40nm DRAM嵌入式系统LSI工艺技术开发
机译:兼容FC-BGA的封装取代DRAM嵌入式LSI:瑞萨电子开发新结构SiP
机译:为合并的DRAM /逻辑LSI优化DRAM刷新计数
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:水稻(Oryza sativa L.)种子的砷硅引发可通过调节Lsi-1Lsi-2Lsi-6和营养转运蛋白基因来影响矿质养分吸收和生化响应
机译:低功耗图形LsI,集成29mb嵌入式DRam,适用于移动多媒体应用
机译:来自韩国的DRam和DRam模块。调查编号701-Ta-431(最终版)
机译:通过向DRAM设备发出电源开/关命令,对缓冲DIMM上的备用DRAM进行电源管理
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机译:带磁性开合系统和防盗报警器的带编码电子门锁-在单芯片上具有电子开关,当在键盘上输入正确的密码时,该电子开关会发出开合信号
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