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MEMORY LOGIC COMPLEX INTEGRATED CIRCUIT APPARATUS HAVING DRAM AND BUFFER MEMORY AND ERROR DETECTION METHOD OF DRAM

机译:具有DRAM和缓冲存储器的内存逻辑复杂集成电路装置以及DRAM的内存和错误检测方法

摘要

PURPOSE: A memory logic complex integrated circuit apparatus having a dynamic random access memory(DRAM) and a buffer memory is provided to detect an error of the DRAM under the normal operation. CONSTITUTION: The memory logic complex integrated circuit apparatus having a dynamic random access memory(DRAM) and a buffer memory comprises: a data input/output part(111); a data extension part(121); a built in self test(BIST) circuit(131); the first to the third selection part(143); a buffer memory(151), a dynamic random access memory(DRAM)(161); a logic circuit(171); an output control part(181); and a selection control part(191). Thereby, it is possible to reduce the magnitude of the memory logic complex integrated circuit apparatus and to know exactly the operation speed of the DRAM under the normal operation.
机译:目的:提供一种具有动态随机存取存储器(DRAM)和缓冲存储器的存储器逻辑复合集成电路装置,以在正常操作下检测DRAM的错误。构成:具有动态随机存取存储器(DRAM)和缓冲存储器的存储逻辑复合集成电路装置,包括:数据输入/输出部分(111);数据扩展部分(121);内置自测(BIST)电路(131);第一至第三选择部分(143);缓冲存储器(151),动态随机存取存储器(DRAM)(161);逻辑电路(171);输出控制部(181);选择控制部(191)。因此,可以减小存储器逻辑复合集成电路装置的大小,并且可以准确地知道正常操作下DRAM的操作速度。

著录项

  • 公开/公告号KR20000015685A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR19980035722

  • 发明设计人 KWAK JIN SEOK;

    申请日1998-08-31

  • 分类号G11C11/407;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 01:46:04

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