65nm工艺

摘要： Teledyne e2v与芯片晶圆代工领先企业Towerjazz联合宣布,Teledyne e2v专为超高分辨率电子检测、高端监控和显微技术而设计的Emerald^TM67M图像传感器现己上市。作为Teledyne e2v的Emerald系列的新成员,该传感器釆用Towerjazz公司全新研发的65nm工艺制程,由日本鱼津做晶圆代工,2.5μm低噪声全局快门像素技术,小尺寸和极低噪声(单电子)的像素,融合了独特的光管技术,卓越的偏转响应、超过80dB的快门效率这种独特的像素结构提供尖端性能,通过检测较小的缺陷,提高制造产量。

摘要： 无锡华大国奇科技有限公司自主研发的基于TSMC65nm工艺节点的USB3．0／2．0ComboPHYIP核通过了中国电子信息产业集团（CEC）组织的专家组的验收，

摘要： CAST公司推出超低功耗BA21嵌入式处理器，进一步扩大BA2x系列32他处理器内核。BA21低功耗嵌入式处理器可往小型的高效节能的封装下提供32位处理能力，可实现2．5CoreMarks，工作频率高达125MHz，65nm工艺下逻辑门数小于10k。

摘要： 2012年12月24日，无锡华大国奇科技有限公司自主研发的基于TSMC65nm工艺节点的USB3．0／2．0Combo PHY IP核通过了中国电子信息产业集团（CEC）组织的专家组的验收，其性能完全符合USB3．0协议的物理层标准规范和USBIF（USB Implementers Forum）兼容性测试要求，且绝大多数参数大幅优于标准技术指标。目前，国奇科技正积极将此Combo PHY向SMIC 40LL工艺转移，将于近期Tape—out。

摘要： 研究并设计一款RISC处理器,从架构设计、电路设计、芯片后端设计多个层次保证其高性能、低功耗的特点.在架构设计层面,通过扩展寄存器堆来提升数据交互的局部性并降低对存储器的访问次数.在电路设计层面,利用动态门控时钟技术对乘除法模块和寄存器堆进行高效的时钟控制.在芯片后端设计层面,分析并比较TSMC 65 nm中GP和LP 2种工艺库,采用多阈值设计流程进一步提高处理器的速度并降低功耗.测试结果表明,与其他平台下的性能结果相比,该处理器可以将RS前向纠错解码算法的吞吐率提高4倍～70倍.%This paper presents the design of a high performance lower power RISC processor from architecture level, circuit level and backend design level. In architecture level, the processor is cache-free and register file extended to improve data locality and reduce memory accesses. In circuit level, gating clock technology is used to control MDU and register file to reduce power, and in backend level, this paper analyzes and compares GP and LP processes in TSMC 65 nm, and uses multi-threshold flow to increase speed and reduce power. Test results show that the processor can make throughput rate of RS forward error correction decoding increase 4 times~70 times, compared with other platforms.

摘要： 日前，由合肥东芯通信公司承担的合芜蚌试验区重大科技项目取得重大成果，自主研发出国内4GTD-LTE基带芯片。该芯片从研发到流片仅用了26个月时间，一次流片成功，并取得测试成功。该款芯片硅片面积为40mm^2，采用65nm工艺，封装后芯片尺寸为11×11mm^2，在同等工艺条件下面积最小，

摘要： 2012年12月24日，无锡华大国奇科技有限公司自主研发的基于TSMC65nm工艺节点的USB3．0／2．0ComboPHYIP核通过了中国电子信息产业集团（CEC）组织的专家组的验收，其性能完全符合USB3．0协议的物理层标准规范和USBIF（USBImplementersForum）兼容性测试要求，且绝大多数参数大幅优于标准技术指标。

摘要： 新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司宣布已正式提供用于中芯国际先进65nm工艺的系统级芯片（SoC）综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的Design Ware接口、模拟IP产品组合和其他基础性IP,

摘要： 一种海洋探测用584nm515nm715 nm1164nm1030nm七波长光纤激光器，谐振腔设置为四方形环形光纤激光腔，在四方形环形光纤激光腔的四个角上设置深刻蚀光纤直角反射镜，在上边光路的中间位置设置信号光λ

摘要： 一种海洋探测用430nm、533nm、658nm、850nm、1064nm七波长光纤激光器，谐振腔设置为四方形环形光纤激光腔，在四方形环形光纤激光腔的四个角上设置深刻蚀光纤直角反射镜，在上边光路的中间位置设置信号光λ

摘要： 一种海洋探测用480nm533nm685nm 960nm1064nm七波长激光器，谐振腔设置为四方形环形光纤激光腔，在四方形环形光纤激光腔的四个角上设置深刻蚀光纤直角反射镜，在上边光路的中间位置设置信号光λ

摘要： 一种海洋探测用395nm、532nm、636 nm、790nm、1064nm七波长光纤激光器，谐振腔设置为四方形环形光纤激光腔，在四方形环形光纤激光腔的四个角上设置深刻蚀光纤直角反射镜，在上边光路的中间位置设置信号光λ

摘要： 一种海洋探测用530nm、533nm、709 nm、1060nm、1066nm七波长光纤激光器，谐振腔设置为四方形环形光纤激光腔，在四方形环形光纤激光腔的四个角上设置深刻蚀光纤直角反射镜，在上边光路的中间位置设置信号光λ

摘要： 一种海洋探测用440nm、533nm、663nm、880nm、1064nm七波长光纤激光器，谐振腔设置为四方形环形光纤激光腔，在四方形环形光纤激光腔的四个角上设置深刻蚀光纤直角反射镜，在上边光路的中间位置设置信号光λ

摘要： 一种海洋探测用600nm515nm720 nm1200nm1030nm七波长光纤激光器，谐振腔设置为四方形环形光纤激光腔，在四方形环形光纤激光腔的四个角上设置深刻蚀光纤直角反射镜，在上边光路的中间位置设置信号光λ

摘要： 一种海洋探测用558nm515nm705 nm1116nm1030nm七波长光纤激光器，谐振腔设置为四方形环形光纤激光腔，在四方形环形光纤激光腔的四个角上设置深刻蚀光纤直角反射镜，在上边光路的中间位置设置信号光λ

摘要： 一种海洋探测用420nm、533nm、652 nm、840nm、1064nm七波长光纤激光器，谐振腔设置为四方形环形光纤激光腔，在四方形环形光纤激光腔的四个角上设置深刻蚀光纤直角反射镜，在上边光路的中间位置设置信号光λ

摘要： 一种海洋探测用528nm、515nm、692nm、1056nm、1030nm七波长光纤激光器，谐振腔设置为四方形环形光纤激光腔，在四方形环形光纤激光腔的四个角上设置深刻蚀光纤直角反射镜，在上边光路的中间位置设置信号光λ