机译:3T1D-DRAM内存扩展至22 nm及以上的可变性缓解机制
Universitat Politè'||';
'||'cnica de Catalunya (UPC), Barcelona, Spain;
Computer architecture; Fluctuations; Logic gates; Microprocessors; Performance evaluation; Random access memory; Strain; DRAM; temperature; variability;
机译:增强3T1D-DRAM单元可变性稳健性超过22 nm的策略
机译:TRAMS项目:22纳米以下Bulk-CMOS技术中SRAM存储器的可变性和可靠性
机译:结合OpenFlow和sFlow在SDN环境中提供有效且可扩展的异常检测和缓解机制
机译:低于22nm技术的存储器设计中的新可靠性机制
机译:根据小规模处理技术,表征,建模和缓解微体系结构的脆弱性和可变性。
机译:长期益生菌干预通过一种新的基于H3K27me3的机制在铅暴露大鼠中减轻记忆障碍
机译:提高3T1D-DRAM细胞变异性稳健性超过22nm的策略