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孙聂枫; 赵有文; 孙同年;
中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室;
石家庄050051;
中国科学院半导体研究所;
北京100083;
磷化铟; 深能级; 杂质; 缺陷; 退火; 电学补偿; 半绝缘; 晶体;
机译:通过电流 - 电压特性和深级瞬态光谱法在INP / InGaAs / InP异质结构中的缺陷状态
机译:InP中成对的杂质产生的深能级
机译:辐照III-V半导体中深本征点缺陷能级的能量位置与有限费米能级之间的相关性
机译:InP中深Ti供体能级的空穴捕获截面
机译:使用同步加速器白束X射线形貌研究CdZnTe和InP单晶中的缺陷生成。
机译:洪堡乌贼巨型轴突中Na +的深封闭状态下控制Na +的反应的能级图
机译:半导体晶体中杂质和缺陷的光吸收:深中心和振动光谱的电子吸收
机译:GaN和相关III-N材料中缺陷和杂质的深能级瞬态光谱研究
机译:测定半导体和介电材料中的缺陷和杂质中心的能级位置的方法
机译:半导体器件中所含深杂质水平或晶体缺陷水平的测量方法
机译:将杂质扩散到INP中的方法
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