高频4H-SiC双极晶体管的研制

摘要

研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管。该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V。器件的β随温度的升高而降低,具有负的温度系数,这种特性使该器件容易并联,避免出现热失控现象。器件的高频特性由矢量网络分析仪测量得到,截止频率fT为360 MHz、最高振荡频率fmax为160 MHz。