一种高频双极晶体管制备方法

摘要

本发明的一种高频双极晶体管制备方法涉及一种带有外置基区结构的双极晶体管制造方法，目的是为了克服在现有的双极晶体管结构基础上降低器件Vcesat时，影响器件BVCBO的问题，方法如下：制成重掺杂N型阱区，该重掺杂N型阱区贯穿N型外延层，且底部插入N型埋层；使用光刻胶将表面浅槽处的重掺杂N型阱区覆盖，再通过光刻胶和氧化硅阻挡，在重掺杂N阱的两侧做P+外基区的倾斜注入，且使重掺杂N阱与P+外基区达到电荷平衡；对基区进行快速热退火，使得多晶硅‑1内的P型杂质进入到N型外延层，形成P型的基区接触区，基区接触区与P+外基区连接；并且，基区接触区的浓度要大于P+外基区的浓度。